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マイクロン　テクノロジー，　インク．

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マイクロン　テクノロジー，　インク．の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2016-535444	金属ソースを含むメモリセルストリングを有する方法及び装置	2016年11月10日
特表 2016-535450	半導体デバイスを処理するための方法および構造	2016年11月10日
特表 2016-534575	強誘電体メモリセルを形成する方法および関連する半導体デバイス構造	2016年11月 4日
特表 2016-534576	メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム	2016年11月 4日
特表 2016-532919	論理演算を、センス回路を使用して実行する装置及び方法	2016年10月20日
特表 2016-532920	センシング回路を使用して比較演算を実行するための装置及び方法	2016年10月20日
特表 2016-532933	メモリで制御されるデータ移動及びタイミング	2016年10月20日
特表 2016-532960	チップセレクトを低減させるデバイス、システム、及び方法	2016年10月20日
特開 2016-176969	露光装置及び半導体装置の製造方法	2016年10月 6日
特開 2016-178100	半導体装置の製造方法	2016年10月 6日
特表 2016-530719	半導体構造および半導体構造の製造方法	2016年 9月29日
特表 2016-529717	垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造、一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタを含む構造、強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリング、および垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対が横方向に対向する垂直方向ストリング	2016年 9月23日
特表 2016-529739	磁性トンネル接合および磁性トンネル接合を形成する方法	2016年 9月23日
特開 2016-171223	半導体装置	2016年 9月23日
特表 2016-528534	半導体基板上に提供されるフォトニック結晶下部クラッド層を有するフォトニックデバイス	2016年 9月15日

189 件中 16-30 件を表示

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2016-535444 2016-535450 2016-534575 2016-534576 2016-532919 2016-532920 2016-532933 2016-532960 2016-176969 2016-178100 2016-530719 2016-529717 2016-529739 2016-171223 2016-528534

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