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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第223位 189件 (2015年:第174位 279件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第361位 82件 (2015年:第320位 85件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6053078 | 物理ページ、論理ページ、およびコードワードの対応 | 2016年12月27日 | |
特許 6053080 | 不揮発性メモリのための相補型デコーディング | 2016年12月27日 | |
特許 6055113 | メモリデバイスにおける自動バックグラウンド動作のホスト制御有効化 | 2016年12月27日 | |
特許 6047153 | 有効化回路を含むデバイスおよびシステム | 2016年12月21日 | |
特許 6047196 | メモリを制御するためのシステム、装置、メモリコントローラ、および方法 | 2016年12月21日 | |
特許 6050587 | 可変式メモリリフレッシュ装置および方法 | 2016年12月21日 | |
特許 6041928 | メモリ装置電源管理装置 | 2016年12月14日 | |
特許 6041987 | 状態機械エンジンにおいて状態ベクトルデータを使用するための方法およびシステム | 2016年12月14日 | |
特許 6042890 | 状態検出を備える固体変換器、関連システム、および方法 | 2016年12月14日 | |
特許 6042990 | メモリデバイスに対する電力管理を提供する装置および方法 | 2016年12月14日 | |
特許 6043015 | コントローラ及びメモリのスタックを備えたフレキシブルなメモリシステム | 2016年12月14日 | |
特許 6043021 | 強誘電性電界効果トランジスタメモリアレイを有する装置および関連方法 | 2016年12月14日 | |
特許 6043022 | 半導電性グラフェン構造、このような構造の形成方法およびこのような構造を含む半導体デバイス | 2016年12月14日 | |
特許 6034862 | 対称スイッチングと単一方向プログラミングを備えたスピン−トルク伝達メモリセル構造 | 2016年11月30日 | |
特許 6029685 | スルー基板ビアを有する集積回路構造およびスルー基板ビアを有する集積回路構造の形成方法 | 2016年11月24日 |
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6053078 6053080 6055113 6047153 6047196 6050587 6041928 6041987 6042890 6042990 6043015 6043021 6043022 6034862 6029685
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11月26日(火) -
11月26日(火) -
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11月28日(木) - 大阪 大阪市
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
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