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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第223位 189件 (2015年:第174位 279件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第361位 82件 (2015年:第320位 85件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2016-528659 | メモリタイルアクセスおよび選択パターン | 2016年 9月15日 | |
特表 2016-527647 | ハイブリッド・メモリ・モジュール用メモリの入出力を構成するための装置および方法 | 2016年 9月 8日 | |
特表 2016-527710 | 選択デバイスを備える三次元メモリアレイ | 2016年 9月 8日 | |
特表 2016-527731 | 負の熱膨張材料を組み込む導電性相互接続構造ならびに関連システム、デバイスおよび方法 | 2016年 9月 8日 | |
特表 2016-526782 | 階段構造を含む半導体デバイスおよびこれに関連する方法 | 2016年 9月 5日 | |
特開 2016-157832 | 半導体装置およびその製造方法 | 2016年 9月 1日 | |
特開 2016-157833 | 半導体装置の製造方法 | 2016年 9月 1日 | |
特表 2016-525764 | メモリデバイスおよびメモリ動作方法 | 2016年 8月25日 | |
特表 2016-525790 | 半導電性グラフェン構造、このような構造の形成方法およびこのような構造を含む半導体デバイス | 2016年 8月25日 | |
特開 2016-154194 | 半導体装置及びその製造方法 | 2016年 8月25日 | |
特開 2016-152283 | 半導体装置の製造方法 | 2016年 8月22日 | |
特表 2016-524814 | 強誘電性電界効果トランジスタメモリアレイを有する装置および関連方法 | 2016年 8月18日 | |
特開 2016-149409 | 半導体装置 | 2016年 8月18日 | |
特表 2016-524341 | メモリセル、動作方法および製造方法、半導体デバイス構造およびメモリシステム | 2016年 8月12日 | |
特表 2016-522956 | 抵抗可変メモリセンシング | 2016年 8月 4日 |
189 件中 31-45 件を表示
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2016-528659 2016-527647 2016-527710 2016-527731 2016-526782 2016-157832 2016-157833 2016-525764 2016-525790 2016-154194 2016-152283 2016-524814 2016-149409 2016-524341 2016-522956
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11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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