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マイクロン テクノロジー, インク.

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  2023年 出願公開件数ランキング    第422位 77件 下降2022年:第215位 174件)

  2023年 特許取得件数ランキング    第587位 45件 下降2022年:第364位 82件)

(ランキング更新日:2024年11月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2023-521874 アレイ領域および非アレイ領域にピラーを含む電子デバイス、ならびに関連するシステムおよび方法 2023年 5月25日
特表 2023-520693 フラッシュメモリ内のデータのランダム化のためにセルフシード処理されたランダマイザ 2023年 5月18日
特表 2023-519951 読み出し動作中のメモリセルバイアス技法 2023年 5月15日
特表 2023-520009 メモリサブシステム製造モード 2023年 5月15日
特表 2023-519573 多重化された選択線を有するメモリアレイ 2023年 5月11日
特表 2023-519094 メモリデバイス内の線に対する構成可能な抵抗率 2023年 5月10日
特表 2023-519182 メモリシステムの信頼性のための電荷の漏れ検出 2023年 5月10日
特表 2023-518242 メモリサブシステムにおける作業負荷レベルに基づく電力モードの設定 2023年 4月28日
特表 2023-518243 メモリサブシステムにおけるプログラムされたビット数に基づいて読み出し電圧レベルを調整すること 2023年 4月28日
特表 2023-518116 メモリデバイスのための遅延較正オシレータ 2023年 4月27日
特表 2023-517739 メモリデバイスを製造するための方法、及び同方法により製造されたメモリデバイス 2023年 4月26日
特表 2023-517740 スタジアム構造を含むマイクロ電子デバイス並びに関連するメモリデバイス及び電子システム 2023年 4月26日
特表 2023-517080 メモリサブシステムに対するキューの維持 2023年 4月21日
特表 2023-516786 メモリサブシステムのキューの管理のための方法、システム、及び可読ストレージ媒体 2023年 4月20日
特表 2023-516345 マルチデッキメモリアレイについての改善されたアーキテクチャ 2023年 4月19日

77 件中 16-30 件を表示

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2023-521874 2023-520693 2023-519951 2023-520009 2023-519573 2023-519094 2023-519182 2023-518242 2023-518243 2023-518116 2023-517739 2023-517740 2023-517080 2023-516786 2023-516345

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