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マイクロン テクノロジー， インク．
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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第422位 77件
（
2022年：第215位 174件）
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第587位 45件
（2022年：第364位 82件）
（ランキング更新日：2025年6月10日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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マイクロン テクノロジー， インク．の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2023-516346 | メモリセルのためのカウンタベースのセンス増幅器の方法 | 2023年 4月19日 | |
| 特表 2023-515049 | 極性書き込みメモリセルに対する可変極性読み出し動作 | 2023年 4月12日 | |
| 特表 2023-515117 | マイクロ電子デバイスを形成する方法並びに関連するマイクロ電子デバイス及び電子システム | 2023年 4月12日 | |
| 特表 2023-514307 | 順次的にプログラムするメモリサブシステムにおける順次読み出し最適化 | 2023年 4月 5日 | |
| 特表 2023-513733 | データを安全に消去するための高電圧パルスに基づくプログラム処理の実行 | 2023年 4月 3日 | |
| 特表 2023-513480 | 多要素認証対応メモリサブシステム | 2023年 3月31日 | |
| 特表 2023-513023 | メモリデバイスを使用したアナログストレージ | 2023年 3月30日 | |
| 特表 2023-512246 | 可変の事前読み出し電圧レベルを使用した不揮発性メモリデバイスにおける書き込み動作の管理 | 2023年 3月24日 | |
| 特表 2023-511287 | 腐食抑制機構を含むマイクロ電子デバイス並びに関連する電子システム及び方法 | 2023年 3月17日 | |
| 特表 2023-511306 | 低電圧強誘電体メモリセルのセンシング | 2023年 3月17日 | |
| 特表 2023-511364 | メモリサブシステムの動的コマンド拡張 | 2023年 3月17日 | |
| 特表 2023-511401 | 炭化ケイ素材料を含む電子デバイスならびに関連する方法およびシステム | 2023年 3月17日 | |
| 特表 2023-510764 | キャッシュ内のデータブロックの書き込みモードの変更に基づくメディア管理動作の実施 | 2023年 3月15日 | |
| 特表 2023-510869 | マイクロ電子デバイスを形成する方法並びに関連するマイクロ電子デバイス及び電子システム | 2023年 3月15日 | |
| 特表 2023-510877 | メモリデバイス及びメモリデバイスを形成する方法 | 2023年 3月15日 |
77 件中 31-45 件を表示
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2023-516346 2023-515049 2023-515117 2023-514307 2023-513733 2023-513480 2023-513023 2023-512246 2023-511287 2023-511306 2023-511364 2023-511401 2023-510764 2023-510869 2023-510877
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