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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7509895 | メモリデバイス内の線に対する構成可能な抵抗率 | 2024年 7月 2日 | |
特許 7497435 | 計算機能を備えたメモリモジュール | 2024年 6月10日 | |
特許 7479643 | 3次元メモリアレイ | 2024年 5月 9日 | |
特許 7471293 | カルコゲナイドメモリデバイスの構成要素及び組成物 | 2024年 4月19日 | |
特許 7471422 | メモリセルの三状態プログラミング | 2024年 4月19日 | |
特許 7469409 | クロスポイントメモリアレイおよび関連する製造技法 | 2024年 4月16日 | |
特許 7466655 | キャッシュ内のデータブロックの書き込みモードの変更に基づくメディア管理動作の実施 | 2024年 4月12日 | |
特許 7450019 | プライバシー保護を備えた分散型機械学習 | 2024年 3月14日 | |
特許 7446482 | 順次的にプログラムするメモリサブシステムにおいて非同期電力損失をハンドリングすること | 2024年 3月 8日 | |
特許 7445362 | データを安全に消去するための高電圧パルスに基づくプログラム処理の実行 | 2024年 3月 7日 | |
特許 7445363 | 多重化された選択線を有するメモリアレイ | 2024年 3月 7日 | |
特許 7445368 | プロセッサによるメモリアクセスのための存続時間 | 2024年 3月 7日 | |
特許 7438389 | メモリシステムの信頼性のための電荷の漏れ検出 | 2024年 2月26日 | |
特許 7431887 | 非対称電極界面を有するメモリ・セル | 2024年 2月15日 | |
特許 7431997 | 極性書き込みメモリセルに対する可変極性読み出し動作 | 2024年 2月15日 |
41 件中 16-30 件を表示
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7509895 7497435 7479643 7471293 7471422 7469409 7466655 7450019 7446482 7445362 7445363 7445368 7438389 7431887 7431997
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