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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第215位 174件
(2021年:第352位 104件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第364位 82件
(2021年:第316位 85件)
(ランキング更新日:2025年4月4日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7197664 | マルチレベル自己選択メモリデバイス | 2022年12月27日 | |
特許 7181664 | オン・デマンド・メモリ・ページ・サイズ | 2022年12月 1日 | |
特許 7177260 | 水素障壁材料を有する垂直トランジスタを含むデバイス及び関連する方法 | 2022年11月22日 | |
特許 7175984 | 階段構造を形成する方法、ならびに関連した階段構造、および半導体デバイス構造 | 2022年11月21日 | |
特許 7175330 | 不揮発性メモリデバイス及び不揮発性メモリ機構を有するシステム並びにそれらを動作するための方法 | 2022年11月18日 | |
特許 7175398 | メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作 | 2022年11月18日 | |
特許 7170906 | セキュア更新のためのローカル台帳ブロックチェーン | 2022年11月14日 | |
特許 7170931 | メモリデバイスのための回路パーティショニング | 2022年11月14日 | |
特許 7168616 | メモリデバイス及びそれを形成する方法 | 2022年11月 9日 | |
特許 7167164 | 訂正不可能なECC | 2022年11月 8日 | |
特許 7166363 | メモリセルのための電極の製造 | 2022年11月 7日 | |
特許 7165269 | メモリデバイスにおける信号展開キャッシング | 2022年11月 2日 | |
特許 7164643 | メモリアレイのためのプレートノードの構成及び動作 | 2022年11月 1日 | |
特許 7164723 | 複数のメモリセルに同時にアクセスするためのシステムおよび技法 | 2022年11月 1日 | |
特許 7161005 | 強誘電体メモリの中のマルチレベルストレージ | 2022年10月25日 |
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7197664 7181664 7177260 7175984 7175330 7175398 7170906 7170931 7168616 7167164 7166363 7165269 7164643 7164723 7161005
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4月4日(金) -
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