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マイクロン テクノロジー， インク．
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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件
（
2020年：第462位 72件）
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
（2020年：第565位 40件）
（ランキング更新日：2025年12月5日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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マイクロン テクノロジー， インク．の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6985011 | アクセス保護スキームを確保するための装置及び方法 | 2021年12月22日 | |
| 特許 6986074 | 高効率熱経路およびモールドアンダーフィルを有する積層型半導体ダイアセンブリ | 2021年12月22日 | |
| 特許 6982005 | メモリセルのセンシング動作のための電力低減 | 2021年12月17日 | |
| 特許 6982072 | メモリセルを含む装置及びその動作方法 | 2021年12月17日 | |
| 特許 6982089 | 活性化境界キルトアーキテクチャのメモリ | 2021年12月17日 | |
| 特許 6979443 | セルベースのリファレンス電圧の生成 | 2021年12月15日 | |
| 特許 6980006 | 強誘電体メモリセル | 2021年12月15日 | |
| 特許 6980130 | メモリセルの感知 | 2021年12月15日 | |
| 特許 6980902 | 遮蔽メモリアーキテクチャのための装置及び方法 | 2021年12月15日 | |
| 特許 6978581 | データ状態同期 | 2021年12月 8日 | |
| 特許 6978590 | メモリアレイに結合される復号回路 | 2021年12月 8日 | |
| 特許 6978595 | 三次元メモリアレイ | 2021年12月 8日 | |
| 特許 6975337 | メモリアレイ、及びメモリアレイを形成する方法 | 2021年12月 1日 | |
| 特許 6975346 | メモリセル、メモリアレイ、及びメモリアレイを形成する方法 | 2021年12月 1日 | |
| 特許 6968975 | メモリにおけるプログラム動作 | 2021年11月24日 |
85 件中 1-15 件を表示
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6985011 6986074 6982005 6982072 6982089 6979443 6980006 6980130 6980902 6978581 6978590 6978595 6975337 6975346 6968975
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