ホーム > 特許ランキング > シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド > 2020年 > 出願公開一覧
※ ログインすれば出願人(シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2020年 出願公開件数ランキング 第1973位 11件
(2019年:第1289位 20件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第1115位 17件
(2019年:第950位 21件)
(ランキング更新日:2025年4月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特表 2020-537280 | フラッシュメモリデバイスのためのハッキング防止メカニズム | 2020年12月17日 | |
特表 2020-536392 | 消去ゲートを有する分割ゲートフラッシュメモリセルの製造方法 | 2020年12月10日 | |
特表 2020-535574 | プログラミング動作を最適化することによって推論エンジンを実装するためのシステム及び方法 | 2020年12月 3日 | |
特開 2020-195279 | フラッシュメモリ装置のハイブリッドチャージポンプ並びに調節手段及び方法 | 2020年12月 3日 | |
特表 2020-534686 | フラッシュメモリを備えた構成可能な畳み込みニューラルネットワークを実装するためのシステム及び方法 | 2020年11月26日 | |
特表 2020-533798 | 抵抗ランダムアクセスメモリセルのアレイに書き込み及び読み出しするための回路 | 2020年11月19日 | |
特表 2020-532040 | フラッシュメモリセル内のデータを読み出すための改善された感知増幅器回路 | 2020年11月 5日 | |
特表 2020-516071 | 不揮発性メモリセルアレイエントロピに基づいて乱数を生成するためのシステム及び方法 | 2020年 5月28日 | |
特開 2020-74256 | フラッシュメモリシステムに対する低パワー動作 | 2020年 5月14日 | |
特表 2020-512697 | ウェハ接合のための犠牲アライメントリング及び自己はんだ付けビア | 2020年 4月23日 | |
特表 2020-511731 | フラッシュメモリシステム内のアドレス障害検出 | 2020年 4月16日 |
11 件中 1-11 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2020-537280 2020-536392 2020-535574 2020-195279 2020-534686 2020-533798 2020-532040 2020-516071 2020-74256 2020-512697 2020-511731
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドの知財の動向チェックに便利です。
東京都江戸川区西葛西3-13-2-501 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒210-0024 神奈川県川崎市川崎区日進町3-4 unicoA 303 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒500-8368 岐阜県 岐阜市 宇佐3丁目4番3号 4-3,Usa 3-Chome, Gifu-City, 500-8368 JAPAN 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング