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ソイテック

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公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2024-533618	多結晶ＳｉＣから作られているキャリア基板に単結晶ＳｉＣから作られている薄層を備える複合構造体を製作するためのプロセス	2024年 9月12日
特表 2024-533774	多結晶ＳｉＣの中間層を使用して単結晶ＳｉＣの層を多結晶ＳｉＣキャリアに転写するためのプロセス	2024年 9月12日
特表 2024-532199	キャリア基板の前面に有用な層を転写するための方法	2024年 9月 5日
特表 2024-526585	圧電基板に原子種を注入する方法	2024年 7月19日
特表 2024-526687	圧電基板の注入プロセスで使用するための保持デバイス構成	2024年 7月19日
特開 2024-51091	弾性波デバイス用の変換器構造体	2024年 4月10日
特表 2024-512195	２ポート弾性波センサデバイス	2024年 3月19日
特表 2024-512199	エピタキシープロセスの温度条件を調節するための設定方法	2024年 3月19日
特表 2024-510706	半導体オンインシュレータ基板を備えるＮＣＦＥＴトランジスタ	2024年 3月11日
特表 2024-510756	キャリア基板上に単結晶半導体で作られた薄層を含む複合構造体を製造するための方法	2024年 3月11日
特表 2024-509678	炭化ケイ素ベースの半導体構造体及び中間複合構造体を製造する方法	2024年 3月 5日
特表 2024-509679	炭化ケイ素ベースの半導体構造体及び中間複合構造体を製造する方法	2024年 3月 5日
特表 2024-509614	ヘテロ構造から層を転写するための方法	2024年 3月 4日
特表 2024-507713	表面弾性波センサデバイス	2024年 2月21日
特表 2024-506797	剥離によって層が除去されたドナー基板の残留物を調製するための方法	2024年 2月15日

16 件中 1-15 件を表示

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2024-533618 2024-533774 2024-532199 2024-526585 2024-526687 2024-51091 2024-512195 2024-512199 2024-510706 2024-510756 2024-509678 2024-509679 2024-509614 2024-507713 2024-506797

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