ソイテック
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ソイテックの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2026-534669 | 弾性波デバイス | 2026年10月20日 | |
| 特表 2026-527192 | 多結晶炭化ケイ素製の除去可能な半導体基板 | 2026年 8月12日 | |
| 特表 2026-526103 | マイクロエレクトロニクス用途向けのダイヤモンド基板又はＩＩＩ－Ｖ族材料の基板の製造方法 | 2026年 8月 5日 | |
| 特表 2026-525109 | ゲートオールアラウンド半導体構造及びその作製方法 | 2026年 7月28日 | |
| 特表 2026-523310 | キャリア基板への圧電層の転写のためのドナー基板を製造するためのプロセス | 2026年 7月14日 | |
| 特表 2026-522150 | 厚い埋め込み型誘電体層を備える基板及びそのような基板を準備するための方法 | 2026年 7月 7日 | |
| 特表 2026-521675 | パワー半導体デバイスを受容するように意図された基板のための多結晶炭化シリコン支持体、およびそのような支持体を備える基板 | 2026年 7月 1日 | |
| 特表 2026-519193 | 強誘電体材料の薄層を作製するための方法 | 2026年 6月12日 | |
| 特表 2026-518543 | 複数の多結晶シリコンカーバイド基板の製造方法 | 2026年 6月 9日 | |
| 特表 2026-516970 | 層の二重転写のための方法 | 2026年 5月27日 | |
| 特表 2026-512973 | シリコンカーバイド層を形成するプロセス | 2026年 4月22日 | |
| 特開 2026-65109 | 変形可能層及び圧電層を含むＭＥＭＳアプリケーション用の複合構造体、並びに関連付けられた製造方法 | 2026年 4月14日 | |
| 特表 2026-509087 | 多結晶シリコンカーバイド支持基板上に単結晶薄膜を含む複合構造及び関連する製造方法 | 2026年 3月17日 | |
| 特表 2026-509058 | 複数の埋め込まれたキャビティを含む構造を製造する方法 | 2026年 3月17日 | |
| 特表 2026-507741 | 半導体基板において弱化ゾーンを形成するための方法 | 2026年 3月 5日 |
20 件中 1-15 件を表示
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2026-534669 2026-527192 2026-526103 2026-525109 2026-523310 2026-522150 2026-521675 2026-519193 2026-518543 2026-516970 2026-512973 2026-65109 2026-509087 2026-509058 2026-507741
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