出願人名に「ソイテック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5646593 | 「シリコン−オン−インシュレーター」ＳＯＩ型の基板のための表面処理方法 | ソイテック | 2014年12月24日 |
| 特許 5640272 | 回路層転写により多層構造体を製作する方法 | ソイテック | 2014年12月17日 |
| 特許 5633854 | 多層ウェーハ内の不均一変形の評価のためのシステム及び方法 | ソイテック | 2014年12月 3日 |
| 特許 5619872 | シリコンオンインシュレータ基板を薄化する方法 | ソイテック | 2014年11月 5日 |
| 特許 5615798 | 温度制御注入 | ソイテック | 2014年10月29日 |
| 特許 5596053 | 半導体オンインシュレータ型構造の外周環状部における酸化物層の溶解方法 | ソイテック | 2014年 9月24日 |
| 特許 5589189 | 制御された電界を有する電子デバイス | ソイテック | 2014年 9月17日 |
| 特許 5584905 | オーバーレイミスアライメントを減少させた直接ボンディング法 | ソイテック | 2014年 9月10日 |
| 特許 5587205 | エピタキシャル成長基板に前駆体ガスを送出するための装置 | ソイテック | 2014年 9月10日 |
| 特許 5582617 | 歪み層の緩和 | ソイテック | 2014年 9月 3日 |
| 特許 5575482 | 単結晶ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料のエピタキシャル堆積法、及び堆積システム | ソイテック | 2014年 8月20日 |
| 特許 5575483 | ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料の大量製造装置 | ソイテック | 2014年 8月20日 |
| 特許 5571679 | 半導体材料を含む構造の品質を改善する方法 | ソイテック | 2014年 8月13日 |
| 特許 5571712 | 三塩化ガリウムを製造するための大容量送達方法 | ソイテック | 2014年 8月13日 |
| 特許 5567569 | 選択した格子定数または制御した格子定数を有する半導体材料の層を使用する半導体構造または半導体デバイスを製造する方法 | ソイテック | 2014年 8月 6日 |
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5646593 5640272 5633854 5619872 5615798 5596053 5589189 5584905 5587205 5582617 5575482 5575483 5571679 5571712 5567569
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