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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第983位 24件
(
2024年:第927位 26件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第943位 22件
(
2024年:第830位 28件)
(ランキング更新日:2026年10月16日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7791180 | ガリウムベースのIII-N合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法 | 2025年12月23日 | |
| 特許 7791179 | ガリウムベースのIII-N合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法 | 2025年12月23日 | |
| 特許 7791178 | ガリウムベースのIII-N合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法 | 2025年12月23日 | |
| 特許 7777559 | 異なる熱膨張係数を有する支持基板に薄層を移転する方法 | 2025年11月28日 | |
| 特許 7767441 | 2ポート弾性波センサデバイス | 2025年11月11日 | |
| 特許 7766685 | 膜を移転するための方法 | 2025年11月10日 | |
| 特許 7752128 | 高周波デバイスのための、圧電層を転写するのに使用できる圧電構造体を製造するための方法、及びそのような圧電層を転写するための方法 | 2025年10月 9日 | |
| 特許 7741221 | 弾性波デバイス用の変換器構造体 | 2025年 9月17日 | |
| 特許 7728326 | 電荷トラップ層が設けられたキャリア基板に薄層を転写するプロセス | 2025年 8月22日 | |
| 特許 7708747 | 結晶SiCのキャリア基材上に単結晶SiCの薄層を備える複合構造を作成するプロセス | 2025年 7月15日 | |
| 特許 7692441 | 熱光学部品を製造するための方法 | 2025年 6月13日 | |
| 特許 7689138 | 積層構造を製造するための方法 | 2025年 6月 5日 | |
| 特許 7663582 | 高周波用途用の半導体オンインシュレータ構造を製造するための方法 | 2025年 4月16日 | |
| 特許 7657227 | 横モードが抑制された単一ポート共振器のためのトランスデューサ構造 | 2025年 4月 4日 | |
| 特許 7649811 | 共振キャビティ表面音響波(SAW)フィルタ | 2025年 3月21日 |
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7791180 7791179 7791178 7777559 7767441 7766685 7752128 7741221 7728326 7708747 7692441 7689138 7663582 7657227 7649811
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