出願人名に「ソイテック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2014-531768 | ３Ｄ集積化プロセスにおいて材料の層を転写する方法ならびに関連する構造体およびデバイス | ソイテック | 2014年11月27日 |
| 特開 2014-207459 | 三塩化ガリウムを製造するための大容量送達方法 | ソイテック | 2014年10月30日 |
| 特表 2014-527707 | シリコンまたは類似の基板上に窒化ガリウムの厚いエピタキシャル層を形成するための方法、およびこの方法を使用して得られる層 | ソイテック 他 | 2014年10月16日 |
| 特表 2014-527293 | 半導体材料内に層を製作するための方法及び装置 | ソイテック | 2014年10月 9日 |
| 特表 2014-509087 | 無線周波数応用分野向けの半導体オンインシュレータタイプの基板のための製造方法 | ソイテック 他 | 2014年 4月10日 |
| 特表 2014-507071 | ピット欠陥が軽減されたＩＩＩ−Ｖ族半導体構造体およびその形成方法 | ソイテック | 2014年 3月20日 |
| 特表 2014-502246 | 金属窒化物成長テンプレート層上にバルクＩＩＩ族窒化物材料を形成する方法、及びその方法によって形成される構造体 | ソイテック | 2014年 1月30日 |
| 特表 2014-500219 | ＩＩＩ族窒化物材料を形成するための方法およびそうした方法によって形成される構造物 | ソイテック 他 | 2014年 1月 9日 |
| 特表 2014-500218 | ＨＶＰＥプロセスを用いたＩＩＩ族窒化物半導体材料のヘテロエピタキシャル堆積のための改善されたテンプレート層 | ソイテック 他 | 2014年 1月 9日 |
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2014-531768 2014-207459 2014-527707 2014-527293 2014-509087 2014-507071 2014-502246 2014-500219 2014-500218
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