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ソイテック

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  2025年 出願公開件数ランキング    第975位 24件 下降2024年:第928位 26件)

  2025年 特許取得件数ランキング    第932位 22件 下降2024年:第834位 28件)

(ランキング更新日:2026年2月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2025-541881 基板上に少なくとも2つのタイルを備える構造を製造するためのプロセス 2025年12月23日
特表 2025-538707 無線周波数又は電力エレクトロニクスデバイス用の基板を製造するための方法 2025年11月28日
特開 2025-138693 画像センサを作製するプロセス 2025年 9月25日
特表 2025-531004 多結晶シリコンカーバイドウェハを処理するための方法 2025年 9月19日
特表 2025-529086 多結晶シリコンカーバイドスラブの前面の前処理プロセス 2025年 9月 4日
特表 2025-528435 反りを低減するとともに、多結晶SiCキャリア基板によって支持された複合構造を薄化するためのプロセス 2025年 8月28日
特表 2025-514726 分子付着によって2つの基板を組み立てる方法、及びそのような方法によって得られる構造体 2025年 5月 9日
特表 2025-512607 圧電体層の厚さを補正するための方法 2025年 4月18日
特表 2025-510560 多結晶炭化ケイ素製の支持基板上の単結晶薄層を含む複合構造体、および関連する製造方法 2025年 4月15日
特表 2025-510985 電子デバイスのための基板 2025年 4月15日
特表 2025-511029 ピエゾエレクトリックオンインシュレータ(POI)基板およびピエゾエレクトリックオンインシュレータ(POI)基板を製造するための方法 2025年 4月15日
特表 2025-511052 ピエゾエレクトリックオンインシュレータ(POI)基板およびピエゾエレクトリックオンインシュレータ(POI)基板を製造するための方法 2025年 4月15日
特表 2025-511282 少なくとも2つのチップを備える構造を基板に作製するためのプロセス 2025年 4月15日
特表 2025-509049 ピエゾエレクトリックオンインシュレータ(POI)基板およびピエゾエレクトリックオンインシュレータ(POI)基板を製造するためのプロセス 2025年 4月11日
特表 2025-508345 半導体オンインシュレータ多層構造体を作るための方法 2025年 3月26日

24 件中 1-15 件を表示

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2025-541881 2025-538707 2025-138693 2025-531004 2025-529086 2025-528435 2025-514726 2025-512607 2025-510560 2025-510985 2025-511029 2025-511052 2025-511282 2025-509049 2025-508345

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