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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第2449位 8件
(2017年:第4465位 4件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第539位 46件
(2017年:第584位 42件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6300395 | 直交誤差補償を有する角速度センサ | 2018年 3月28日 | |
特許 6300402 | スティクション耐性MEMSデバイスおよび動作方法 | 2018年 3月28日 | |
特許 6296636 | 半導体デバイスのためのシングルイベントラッチアップ防止技法 | 2018年 3月20日 | |
特許 6288812 | 誤り訂正符号を有する不揮発性メモリシステムの消去 | 2018年 3月 7日 | |
特許 6288822 | 半導体回路内の電力を制御するためのシステムおよび方法 | 2018年 3月 7日 | |
特許 6288831 | ヒートスプレッダを有する半導体デバイスアセンブリ | 2018年 3月 7日 | |
特許 6289171 | ジャイロスコープをモニタリングするためのシステムおよび方法 | 2018年 3月 7日 | |
特許 6278554 | 合致アドレス制御を備えたマルチポートメモリ | 2018年 2月14日 | |
特許 6274640 | 半導体デバイスパッケージおよび製造方法 | 2018年 2月 7日 | |
特許 6274648 | 温度センサを使用した不揮発性メモリに対する適応的ソフトプログラミングのためのシステムおよび方法 | 2018年 2月 7日 | |
特許 6271151 | キャビティ型半導体パッケージおよびそのパッケージング方法 | 2018年 1月31日 | |
特許 6271179 | 積分に基づくアーミング閾値を用いる可変磁気抵抗センサインターフェース及び方法 | 2018年 1月31日 | |
特許 6265666 | 適応的書き込み操作を用いる不揮発性メモリ(NVM) | 2018年 1月24日 | |
特許 6261114 | トレンチバイアを有するマイクロ電子パッケージおよびその製造方法 | 2018年 1月17日 | |
特許 6261122 | 3次元的な表面電界緩和が増強された半導体デバイス | 2018年 1月17日 |
46 件中 31-45 件を表示
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6300395 6300402 6296636 6288812 6288822 6288831 6289171 6278554 6274640 6274648 6271151 6271179 6265666 6261114 6261122
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