ホーム > 特許ランキング > 上海新昇半導體科技有限公司 > 2017年 > 出願公開一覧
上海新昇半導體科技有限公司
※ ログインすれば出願人(上海新昇半導體科技有限公司)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2017年 出願公開件数ランキング 第2283位 10件
（
2016年： 0件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第3281位 4件
（2016年： 0件）
（ランキング更新日：2025年5月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
上海新昇半導體科技有限公司の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-154962 | 単結晶シリコンを成長させる方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-157811 | ＳＯＩ基板及びその製造方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-157812 | ウェハの熱処理方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-157814 | ＳＯＩ基板及びその製造方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-157815 | ＳＯＩ基板及びその製造方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-79323 | ＳＯＩ構造および製造方法 | 2017年 4月27日 | |
| 特開 2017-75082 | 単結晶シリコンインゴットおよびウェーハの形成方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-75084 | 単結晶シリコンインゴット及びウエハ形成方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-76774 | エピタキシャル層を形成する方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-76777 | ウエハ形成方法 | 2017年 4月20日 |
10 件中 1-10 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2017-154962 2017-157811 2017-157812 2017-157814 2017-157815 2017-79323 2017-75082 2017-75084 2017-76774 2017-76777
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。上海新昇半導體科技有限公司の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
5月12日(月) -
5月13日(火) - 東京 港区
5月14日(水) - 東京 港区
5月14日(水) -
5月15日(木) - 東京 港区
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月12日(月) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒170-0013 東京都豊島区東池袋3丁目9-10 池袋FNビル4階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
【名古屋オフィス】 〒462-0002愛知県名古屋市中区丸の内２－１０－３０インテリジェント林ビル２階 【可児オフィス】 〒509-0203岐阜県可児市下恵土 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 鑑定 コンサルティング
埼玉県戸田市上戸田３－１３－１３ ガレージプラザ戸田公園Ａ－２ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
