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上海新昇半導體科技有限公司
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第2283位 10件
（
2016年： 0件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第3281位 4件
（2016年： 0件）
（ランキング更新日：2025年10月3日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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上海新昇半導體科技有限公司の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-154962 | 単結晶シリコンを成長させる方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-157811 | ＳＯＩ基板及びその製造方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-157812 | ウェハの熱処理方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-157814 | ＳＯＩ基板及びその製造方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-157815 | ＳＯＩ基板及びその製造方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-79323 | ＳＯＩ構造および製造方法 | 2017年 4月27日 | |
| 特開 2017-75082 | 単結晶シリコンインゴットおよびウェーハの形成方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-75084 | 単結晶シリコンインゴット及びウエハ形成方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-76774 | エピタキシャル層を形成する方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-76777 | ウエハ形成方法 | 2017年 4月20日 |
10 件中 1-10 件を表示
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2017-154962 2017-157811 2017-157812 2017-157814 2017-157815 2017-79323 2017-75082 2017-75084 2017-76774 2017-76777
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