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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7766050 | シャロートレンチアイソレーション用途のための低ディッシング酸化物CMP研磨組成物、及びその製造の方法 | 2025年11月 7日 | |
| 特許 7755646 | 誘電体膜の特性を向上させる添加剤 | 2025年10月16日 | |
| 特許 7754926 | アルコキシジシロキサン、及びそれから製造される緻密なオルガノシリカ膜 | 2025年10月15日 | |
| 特許 7747636 | 膜を堆積するための方法 | 2025年10月 1日 | |
| 特許 7725368 | 半導体装置の製造の間に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング溶液及び方法 | 2025年 8月19日 | |
| 特許 7709517 | 銅及びスルーシリコンビア(TSV)化学機械平坦化(CMP)のためのパッドインボトル(PIB)技術 | 2025年 7月16日 | |
| 特許 7696461 | ケイ素及び窒素を含有する膜を製造するための方法 | 2025年 6月20日 | |
| 特許 7695316 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 | 2025年 6月18日 | |
| 特許 7684232 | ケイ素含有膜堆積のための組成物およびそれを用いた方法 | 2025年 5月27日 | |
| 特許 7675095 | 高い弾性率を有する膜を堆積するための新規な前駆体 | 2025年 5月12日 | |
| 特許 7668790 | フォトレジスト除去剤 | 2025年 4月25日 | |
| 特許 7667785 | 低酸化物トレンチディッシングシャロートレンチアイソレーション化学的機械平坦化研磨 | 2025年 4月23日 | |
| 特許 7664914 | EUVマスク保護構造のためのエッチング組成物及び方法 | 2025年 4月18日 | |
| 特許 7650275 | 高い酸化物膜の除去速度のシャロートレンチアイソレーション(STI)化学機械平坦化(CMP)研磨 | 2025年 3月24日 | |
| 特許 7650266 | ケイ素含有膜の非コンフォーマル性堆積のための組成物、及びその組成物を使用する方法 | 2025年 3月24日 |
21 件中 1-15 件を表示
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7766050 7755646 7754926 7747636 7725368 7709517 7696461 7695316 7684232 7675095 7668790 7667785 7664914 7650275 7650266
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企業の知財部員がすべき「知財実務手順の対応」 ~特許出願から明細書作成のノウハウ及び先行技術調査の基礎、特許権侵害の実務対応~
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