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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第830位 30件
(
2023年:第951位 28件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第1123位 19件
(
2023年:第1428位 14件)
(ランキング更新日:2026年2月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7603075 | 従量式同軸バルブブロック | 2024年12月19日 | |
| 特許 7598360 | ケイ素含有膜の堆積のためのシラシクロアルカンを含む組成物及びその組成物を使用する方法 | 2024年12月11日 | |
| 特許 7586837 | 酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積のための有機アミノジシラザン | 2024年11月19日 | |
| 特許 7580909 | シャロートレンチアイソレーション(STI)の化学機械平坦化研磨(CMP)において酸化物/窒化物選択性を高め、酸化物トレンチのディッシングを低く均一化する方法 | 2024年11月12日 | |
| 特許 7572345 | 高成長速度ケイ素含有膜の前駆体としての官能化シクロシラザン | 2024年10月23日 | |
| 特許 7568714 | ケイ素化合物、及びそのケイ素化合物を使用する膜を堆積するための方法 | 2024年10月16日 | |
| 特許 7566895 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 | 2024年10月15日 | |
| 特許 7565948 | 熱堆積ケイ素含有膜のための組成物およびそれを用いる方法 | 2024年10月11日 | |
| 特許 7566003 | エッチング残留物を除去するための組成物、その使用の方法及びその使用 | 2024年10月11日 | |
| 特許 7557532 | 高い酸化物除去速度を有するシャロートレンチアイソレーション化学的機械平坦化組成物 | 2024年 9月27日 | |
| 特許 7554755 | ケイ素含有膜のための組成物及びその組成物を使用する方法 | 2024年 9月20日 | |
| 特許 7553454 | 炭素ドープされた酸化ケイ素の堆積 | 2024年 9月18日 | |
| 特許 7544737 | 脱気装置、脱気システム及びそれらを使用する方法 | 2024年 9月 3日 | |
| 特許 7527313 | 半導体デバイスの製造中にp-ドープされたシリコン及びシリコン―ゲルマニウムに対してポリシリコンを選択的に除去するための液体組成物 | 2024年 8月 2日 | |
| 特許 7526732 | 酸化ハフニウム腐食抑制剤 | 2024年 8月 1日 |
19 件中 1-15 件を表示
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7603075 7598360 7586837 7580909 7572345 7568714 7566895 7565948 7566003 7557532 7554755 7553454 7544737 7527313 7526732
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