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ＪＸ日鉱日石金属株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第215位 199件
（
2010年：第1800位 14件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第185位 194件
（2010年：第841位 28件）
（ランキング更新日：2025年2月18日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4677381 | プリント配線基板用金属材料 | 2011年 4月27日 | |
| 特許 4673855 | 水素分離膜及び水素分離膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2011年 4月20日 | 共同出願 |
| 特許 4673464 | 産業廃棄物焼却排ガス急冷方法及び急冷塔 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4673453 | 強磁性材スパッタリングターゲット | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4673448 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4672804 | 電子材料用Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金及びその製造方法 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4672618 | 電気電子機器用Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4672515 | 屈曲用圧延銅合金箔 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4672967 | ターゲットの製造方法 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4672907 | 銅又は銅合金の支持体を備えた複合銅箔及び該複合銅箔を使用したプリント基板 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4673514 | ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4663053 | インジウムの回収方法 | 2011年 3月30日 | |
| 特許 4663031 | チタン銅、伸銅品、電子部品及びコネクタ | 2011年 3月30日 | |
| 特許 4663030 | チタン銅、伸銅品、電子部品、コネクタ及びそのチタン銅の製造方法 | 2011年 3月30日 | |
| 特許 4660792 | スポットめっき装置 | 2011年 3月30日 |
194 件中 136-150 件を表示
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4677381 4673855 4673464 4673453 4673448 4672804 4672618 4672515 4672967 4672907 4673514 4663053 4663031 4663030 4660792
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