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JX日鉱日石金属株式会社

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  2024年 出願公開件数ランキング    第495位 61件 下降2023年:第384位 88件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第464位 58件 下降2023年:第295位 111件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7594420 選択 銅被覆鉄粉、銅被覆鉄粉の製造方法及びルテニウムの回収方法 2024年12月 4日
特許 7584337 選択 全固体リチウムイオン電池用正極活物質、全固体リチウムイオン電池用正極活物質の前駆体、全固体リチウムイオン電池用正極、全固体リチウムイオン電池、全固体リチウムイオン電池用正極活物質の前駆体の製造方法及び全固体リチウムイオン電池用正極活物質の製造方法 2024年11月15日
特許 7581102 選択 全固体リチウムイオン電池用正極活物質、全固体リチウムイオン電池用正極、全固体リチウムイオン電池及び全固体リチウムイオン電池用正極活物質の製造方法 2024年11月12日
特許 7579704 選択 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 2024年11月 8日
特許 7576008 選択 線状物の除去装置、線状物の除去方法及び電子電気機器部品屑の処理方法 2024年10月30日
特許 7576019 選択 IGZOスパッタリングターゲット 2024年10月30日
特許 7566804 選択 IGZOスパッタリングターゲット 2024年10月15日
特許 7567095 選択 金属樹脂複合電磁波シールド材料 2024年10月15日
特許 7554573 選択 スカンジウムの回収方法 2024年 9月20日
特許 7554687 選択 Cu-Bi2O3スパッタリングターゲット及びその製造方法 2024年 9月20日
特許 7554192 選択 非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材 2024年 9月19日
特許 7554215 選択 リン化インジウム基板及び半導体エピタキシャルウエハ 2024年 9月19日
特許 7554327 選択 無水塩化スカンジウムの製造方法 2024年 9月19日
特許 7551893 選択 スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 2024年 9月17日
特許 7550404 選択 フォトダイオード及び赤外線センサー 2024年 9月13日

61 件中 1-15 件を表示

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7594420 7584337 7581102 7579704 7576008 7576019 7566804 7567095 7554573 7554687 7554192 7554215 7554327 7551893 7550404

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