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ＪＸ日鉱日石金属株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第215位 199件
（
2010年：第1800位 14件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第185位 194件
（2010年：第841位 28件）
（ランキング更新日：2025年5月30日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4660792 | スポットめっき装置 | 2011年 3月30日 | |
| 特許 4659140 | プリント配線板用銅箔 | 2011年 3月30日 | |
| 特許 4657724 | エピタキシャル成長方法およびエピタキシャル成長用基板 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4658176 | 調合ユニット、及び自動調合装置 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4653510 | リチウム２次電池用負極材料 | 2011年 3月16日 | 共同出願 |
| 特許 4654171 | 銅製錬用溶剤のボールミル粉砕方法 | 2011年 3月16日 | |
| 特許 4650811 | 深鍋状銅製スパッタリングターゲット | 2011年 3月16日 | |
| 特許 4647894 | 無電解めっき方法及び装置 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4647724 | 半導体配線用バリア膜、焼結体スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4647595 | 気相成長装置 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4647695 | ＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4642327 | ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642796 | 金の浸出方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642701 | めっき密着性に優れるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金条 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642780 | Ｓｂ−Ｔｅ系合金焼結体ターゲット及びその製造方法 | 2011年 3月 2日 |
194 件中 151-165 件を表示
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4660792 4659140 4657724 4658176 4653510 4654171 4650811 4647894 4647724 4647595 4647695 4642327 4642796 4642701 4642780
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