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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第152位 300件
(2013年:第158位 313件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第168位 260件
(2013年:第176位 235件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5606666 | 多層積層体の製造方法 | 2014年10月15日 | |
特許 5606189 | ハイブリッドシリコンウエハ及びその製造方法 | 2014年10月15日 | |
特許 5606935 | 硫化銅鉱からの銅の浸出方法 | 2014年10月15日 | |
特許 5602298 | 多結晶シリコンウエハ | 2014年10月 8日 | |
特許 5595961 | 電子材料用Cu−Ni−Si系銅合金及びその製造方法 | 2014年 9月24日 | |
特許 5595320 | 銅電解液 | 2014年 9月24日 | |
特許 5594779 | 銅変色防止液 | 2014年 9月24日 | |
特許 5595301 | 銅電解液 | 2014年 9月24日 | |
特許 5596118 | ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット | 2014年 9月24日 | |
特許 5592022 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット | 2014年 9月17日 | |
特許 5591370 | Cu−Gaターゲット及びその製造方法 | 2014年 9月17日 | |
特許 5591256 | 二価鉄イオン含有水溶液 | 2014年 9月17日 | |
特許 5588049 | 多層積層体の製造方法 | 2014年 9月10日 | |
特許 5586916 | MoSi2製発熱体及び同発熱体の製造方法 | 2014年 9月10日 | |
特許 5587001 | 電気光学素子用CdTe系化合物半導体単結晶 | 2014年 9月10日 |
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5606666 5606189 5606935 5602298 5595961 5595320 5594779 5595301 5596118 5592022 5591370 5591256 5588049 5586916 5587001
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