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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第176位 256件 (2011年:第215位 199件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第224位 173件 (2011年:第185位 194件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5043027 | ITOスクラップからの有価金属の回収方法 | 2012年10月10日 | |
特許 5043028 | ITOスクラップからの有価金属の回収方法 | 2012年10月10日 | |
特許 5043154 | 電子回路用銅箔及び電子回路の形成方法 | 2012年10月10日 | |
特許 5039863 | コルソン合金及びその製造方法 | 2012年10月 3日 | |
特許 5039862 | コルソン合金及びその製造方法 | 2012年10月 3日 | |
特許 5032706 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5032319 | ZnTe単結晶基板の熱処理方法およびZnTe単結晶基板 | 2012年 9月26日 | |
特許 5036936 | ゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット及びその製造方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5032316 | 高純度ハフニウム、高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5032662 | 希土類金属又はこれらの酸化物からなるターゲットの保管方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5032638 | 高電子移動度トランジスタの製造方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5026611 | 積層構造体及びその製造方法 | 2012年 9月12日 | |
特許 5021892 | リチウムイオン二次電池正極材料用前駆体とその製造方法並びにそれを用いた正極材料の製造方法 | 2012年 9月12日 | |
特許 5019343 | スパッタリングターゲット用ZnS粉末及びスパッタリングターゲット | 2012年 9月 5日 | |
特許 5019285 | 高純度ジルコニウム粉の製造方法 | 2012年 9月 5日 |
173 件中 46-60 件を表示
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5043027 5043028 5043154 5039863 5039862 5032706 5032319 5036936 5032316 5032662 5032638 5026611 5021892 5019343 5019285
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2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月13日(木) - 岐阜 大垣市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月13日(木) - 神奈川 綾瀬市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月14日(金) - 東京 大田
<エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け> 基礎から学ぶ/自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月14日(金) - 東京 千代田区
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