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ＪＸ日鉱日石金属株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第215位 199件
（
2010年：第1800位 14件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第185位 194件
（2010年：第841位 28件）
（ランキング更新日：2025年5月30日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4771552 | ２層フレキシブル基板 | 2011年 9月14日 | |
| 特許 4771196 | パラジウムを含む廃油及び又は油泥からパラジウムを回収する方法 | 2011年 9月14日 | |
| 特許 4764441 | 排水中の金属濃度分析のための前処理装置及び該前処理装置を備えた分析システム | 2011年 9月 7日 | |
| 特許 4768008 | 銅箔積層体及びその製造方法並びにビルドアップ基板の製造方法 | 2011年 9月 7日 | |
| 特許 4763101 | スパッタリング用タンタル製コイル及び同コイルの加工方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4758522 | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4761576 | 含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4761586 | 高強度チタン銅板及びその製造方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4762172 | 自溶炉の炉体水冷構造 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4756498 | グロー放電質量分析法の試料調整法 | 2011年 8月24日 | |
| 特許 4754617 | タンタルスパッタリングターゲットの製造方法 | 2011年 8月24日 | |
| 特許 4754930 | 電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金 | 2011年 8月24日 | |
| 特許 4754612 | スパッタリングターゲットの製造方法 | 2011年 8月24日 | |
| 特許 4756853 | 電気光学結晶素子 | 2011年 8月24日 | |
| 特許 4749862 | 高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び同ターゲットを使用して形成された薄膜 | 2011年 8月17日 |
194 件中 61-75 件を表示
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4771552 4771196 4764441 4768008 4763101 4758522 4761576 4761586 4762172 4756498 4754617 4754930 4754612 4756853 4749862
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