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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第175位 251件
(2015年:第156位 297件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第141位 251件
(2015年:第184位 166件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6025259 | めっき物 | 2016年11月16日 | |
特許 6026332 | IGZO系焼結体からのIn−Ga−Zn酸化物の回収方法 | 2016年11月16日 | |
特許 6026403 | リチウムイオン電池用正極活物質、リチウムイオン電池用正極、及び、リチウムイオン電池 | 2016年11月16日 | |
特許 6026404 | リチウムイオン電池用正極活物質、リチウムイオン電池用正極、及び、リチウムイオン電池 | 2016年11月16日 | |
特許 6021596 | インジウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2016年11月 9日 | |
特許 6021861 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 | 2016年11月 9日 | |
特許 6023366 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | 2016年11月 9日 | |
特許 6023367 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | 2016年11月 9日 | |
特許 6023587 | リチウムイオン電池用正極活物質の製造方法 | 2016年11月 9日 | |
特許 6023848 | 印刷回路用銅箔及び銅張積層板 | 2016年11月 9日 | |
特許 6023920 | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 | 2016年11月 9日 | |
特許 6018532 | 半導体ウエハ、放射線検出素子、放射線検出器、および化合物半導体単結晶の製造方法 | 2016年11月 2日 | |
特許 6018680 | 放射線検出素子の製造方法 | 2016年11月 2日 | |
特許 6016329 | リチウムイオン電池用正極活物質、リチウムイオン電池用正極及びリチウムイオン電池 | 2016年10月26日 | |
特許 6016849 | Cu−Ga合金スパッタリングターゲット | 2016年10月26日 |
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6025259 6026332 6026403 6026404 6021596 6021861 6023366 6023367 6023587 6023848 6023920 6018532 6018680 6016329 6016849
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