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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2026-519490	複数のドーパントバッチを添加するためのドーパント供給器を備えるインゴット引き上げ装置	2026年 6月16日
特開 2026-94337	結晶引き上げ装置のシリコン融液とリフレクタとの間の距離を決定するための非接触システムおよび方法	2026年 6月 9日
特表 2026-516720	連続チョクラルスキー引き上げ装置による結晶成長におけるマイクロボイド分析システム及び方法	2026年 5月26日
特開 2026-48799	自動化された半導体基板の研磨および洗浄	2026年 3月17日
特表 2026-507003	半径方向の抵抗率変動を低減した単結晶シリコンインゴットの製造方法	2026年 2月27日
特表 2026-506854	制御された応力を有する電荷トラップ層を有する半導体・オン・インシュレータウェハを製造する方法	2026年 2月27日
特表 2026-505782	単結晶シリコン構造体における欠陥の検出の方法	2026年 2月18日
特開 2026-21337	単結晶シリコンインゴットを成長させる際の動的ステートチャートの作製および使用	2026年 2月10日
特表 2026-503132	下部チャンバ堆積物を低減した単結晶シリコンインゴットを成長するためのインゴット引上げ装置および方法	2026年 1月27日
特表 2026-502680	両面研削作業を使用する半導体ウエハの処理方法	2026年 1月23日
特表 2026-501869	絶縁ゲートバイポーラトランジスタ用単結晶シリコンウエハの製造方法	2026年 1月16日
特表 2026-501586	エピタキシャル半導体ウェハの処理方法	2026年 1月16日
特開 2026-4354	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造	2026年 1月14日

28 件中 16-28 件を表示

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2026-519490 2026-94337 2026-516720 2026-48799 2026-507003 2026-506854 2026-505782 2026-21337 2026-503132 2026-502680 2026-501869 2026-501586 2026-4354

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