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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2021-536140	パッド−パッド変動のために調整を行う半導体基板の研磨方法　（関連出願の相互参照）　本願は、２０１８年９月１０日に出願された米国仮特許出願第６２／７２９，１３４号の優先権の利益を主張する。当該米国仮特許出願の開示内容は、全ての関連性および一貫性のため（ｆｏｒ　ａｌｌ　ｒｅｌｅｖａｎｔ　ａｎｄ　ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔ　ｐｕｒｐｏｓｅｓ）参照により本明細書中に組み込まれる。	2021年12月23日
特表 2021-532570	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造	2021年11月25日
特表 2021-531645	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム	2021年11月18日
特開 2021-177556	半導体構造を評価する方法	2021年11月11日
特表 2021-529147	単結晶シリコンインゴット製造中のサンプルロッド成長および抵抗率測定	2021年10月28日
特開 2021-169410	改善された機械的強度を有する高抵抗率単結晶シリコンインゴット及びウェハ	2021年10月28日
特表 2021-528355	単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長	2021年10月21日
特表 2021-528356	インゴットネック引張速度の移動平均の監視を伴うシリコンインゴットの製造方法	2021年10月21日
特表 2021-527326	シリコン箔層の移転方法	2021年10月11日
特表 2021-522682	半導体ドナー基板からの層移転を容易にする光アシスト板状体形成	2021年 8月30日
特開 2021-61413	低温流動性酸化物層を含む半導体オンインシュレータ構造およびその製造方法	2021年 4月15日
特開 2021-52198	半導体基板に応力を加える装置	2021年 4月 1日
特開 2021-46352	チャンクポリシリコンまたは粒状ポリシリコンを結晶成長チャンバの中に選択的に供給するためのシステム	2021年 3月25日
特開 2021-48401	高抵抗シリコンオンインシュレータ構造及びその製造方法	2021年 3月25日
特開 2021-44561	凹所およびキャップを有する、中心部が可撓性の片面研磨ヘッド	2021年 3月18日

20 件中 1-15 件を表示

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2021-536140 2021-532570 2021-531645 2021-177556 2021-529147 2021-169410 2021-528355 2021-528356 2021-527326 2021-522682 2021-61413 2021-52198 2021-46352 2021-48401 2021-44561

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