特許ランキング - 出願人詳細情報 -

グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

※ ログインすれば出願人(グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2022年出願公開件数ランキング　　　第1399位　17件（2021年：第1259位　20件）

　■　2022年特許取得件数ランキング　　　第1898位　10件（2021年：第1092位　18件）

（ランキング更新日：2026年2月13日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2023年 2024年 2025年 2026年

グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2022-180551	改善された抵抗率制御により単結晶シリコンインゴットを形成する方法	2022年12月 6日
特表 2022-550363	ばね部材を有し半導体構造を劈開するための劈開システム、及びそのような構造を劈開するための方法	2022年12月 1日
特表 2022-548592	連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット	2022年11月21日
特開 2022-172125	シリコン箔層の移転方法	2022年11月15日
特開 2022-166859	半導体基板に応力を加える装置	2022年11月 2日
特表 2022-542979	単結晶シリコンインゴットを成長させる際の動的ステートチャートの作製および使用	2022年10月 7日
特表 2022-540046	ホウ酸をドーパントとする単結晶シリコンインゴットの製造方法および固相ドーパントを使用するインゴット引上げ装置	2022年 9月14日
特開 2022-121422	シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成	2022年 8月19日
特表 2022-529451	連続チョクラルスキー法を用いる単結晶シリコンインゴットの成長方法	2022年 6月22日
特表 2022-526817	本体長さ後半の歪みが低減されたインゴットの製造方法	2022年 5月26日
特開 2022-70890	多層構造	2022年 5月13日
特開 2022-37175	高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法	2022年 3月 8日
特開 2022-33854	低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法	2022年 3月 2日
特表 2022-515283	高抵抗率および超高抵抗率単結晶シリコンインゴット成長用ファットネックスラブの改良された比抵抗安定化測定	2022年 2月17日
特開 2022-28803	向上した電荷捕獲効率を有する高抵抗率シリコンオンインシュレータ基板	2022年 2月16日

17 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2022-180551 2022-550363 2022-548592 2022-172125 2022-166859 2022-542979 2022-540046 2022-121422 2022-529451 2022-526817 2022-70890 2022-37175 2022-33854 2022-515283 2022-28803

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2026年特許出願件数	2026年特許取得件数
2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数