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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2022-180551	改善された抵抗率制御により単結晶シリコンインゴットを形成する方法	2022年12月 6日
特表 2022-550363	ばね部材を有し半導体構造を劈開するための劈開システム、及びそのような構造を劈開するための方法	2022年12月 1日
特表 2022-548592	連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット	2022年11月21日
特開 2022-172125	シリコン箔層の移転方法	2022年11月15日
特開 2022-166859	半導体基板に応力を加える装置	2022年11月 2日
特表 2022-542979	単結晶シリコンインゴットを成長させる際の動的ステートチャートの作製および使用	2022年10月 7日
特表 2022-540046	ホウ酸をドーパントとする単結晶シリコンインゴットの製造方法および固相ドーパントを使用するインゴット引上げ装置	2022年 9月14日
特開 2022-121422	シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成	2022年 8月19日
特表 2022-529451	連続チョクラルスキー法を用いる単結晶シリコンインゴットの成長方法	2022年 6月22日
特表 2022-526817	本体長さ後半の歪みが低減されたインゴットの製造方法	2022年 5月26日
特開 2022-70890	多層構造	2022年 5月13日
特開 2022-37175	高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法	2022年 3月 8日
特開 2022-33854	低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法	2022年 3月 2日
特表 2022-515283	高抵抗率および超高抵抗率単結晶シリコンインゴット成長用ファットネックスラブの改良された比抵抗安定化測定	2022年 2月17日
特開 2022-28803	向上した電荷捕獲効率を有する高抵抗率シリコンオンインシュレータ基板	2022年 2月16日

17 件中 1-15 件を表示

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2022-180551 2022-550363 2022-548592 2022-172125 2022-166859 2022-542979 2022-540046 2022-121422 2022-529451 2022-526817 2022-70890 2022-37175 2022-33854 2022-515283 2022-28803

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