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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第2292位 9件
（
2019年：第3655位 5件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第1162位 16件
（2019年：第8774位 1件）
（ランキング更新日：2025年5月7日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2020-123737 | 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 | 2020年 8月13日 | |
| 特開 2020-113792 | 高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法 | 2020年 7月27日 | |
| 特開 2020-79195 | 窒素ドープされた空孔優勢であるシリコンインゴット、およびそれから形成された半径方向に均一に分布した酸素析出の密度およびサイズを有する熱処理されたウエハ | 2020年 5月28日 | |
| 特表 2020-513693 | 高抵抗シリコンオンインシュレータ構造及びその製造方法 | 2020年 5月14日 | |
| 特開 2020-74418 | 高抵抗率ＳＯＩウエハおよびその製造方法 | 2020年 5月14日 | |
| 特表 2020-507206 | 接合ウエハ構造を分離する劈開システム、取り付け可能な劈開モニタシステム、及び方法 | 2020年 3月 5日 | |
| 特表 2020-506553 | 半導体構造を評価する方法 | 2020年 2月27日 | |
| 特開 2020-25110 | 多結晶仕上げを有する半導体ウエハを処理する方法 | 2020年 2月13日 | |
| 特表 2020-503231 | 改善された抵抗率制御により単結晶シリコンインゴットを形成する方法 | 2020年 1月30日 |
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2020-123737 2020-113792 2020-79195 2020-513693 2020-74418 2020-507206 2020-506553 2020-25110 2020-503231
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