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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第904位 27件
（
2023年：第816位 33件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第1273位 16件
（
2023年：第1510位 13件）
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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2024-153723 | 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造 | 2024年10月29日 | |
| 特表 2024-538358 | 単結晶シリコンの製造時の石英粒子のアレイの使用 | 2024年10月18日 | |
| 特表 2024-536498 | 半導体ウエハ処理用エピタキシャルリアクタ内の冷却流体フローの動的制御のためのシステム及び方法 | 2024年10月 4日 | |
| 特表 2024-535578 | 単結晶シリコンインゴット製造のための熱ドナー形成と目標抵抗率のモデリング | 2024年 9月30日 | |
| 特表 2024-534046 | フロントエンド処理されたウェハの形状測定基準を用いて半導体ウェハを処理するためのシステムおよび方法 | 2024年 9月18日 | |
| 特表 2024-531727 | 複合多結晶シリコン供給管を有する結晶引き上げシステム、そのような管の調製方法、および単結晶シリコンインゴットの形成方法 | 2024年 8月29日 | |
| 特表 2024-525417 | 凹部およびキャップを有する研磨ヘッドアセンブリ | 2024年 7月12日 | |
| 特開 2024-96065 | オフ・オリエンテーション単結晶シリコンウエハを製造するための方法 | 2024年 7月11日 | |
| 特表 2024-525001 | 基板を製造するためのチョクラルスキ成長条件のエピタキシー適合性を決定する方法 | 2024年 7月 9日 | |
| 特表 2024-523480 | エピタキシーに対するシリコン基板の適合性を判断する方法 | 2024年 6月28日 | |
| 特開 2024-81790 | 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム | 2024年 6月18日 | |
| 特表 2024-520171 | 単結晶シリコンインゴットの成長中の石英プレートの使用 | 2024年 5月21日 | |
| 特表 2024-518996 | 半導体構造体のエッチング方法及び処理リアクタの調整方法 | 2024年 5月 8日 | |
| 特表 2024-518332 | 凸多角形の研磨部材を有する両面研削装置 | 2024年 5月 1日 | |
| 特表 2024-517757 | 画像ベースのロボット位置合わせの方法及びシステム | 2024年 4月23日 |
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2024-153723 2024-538358 2024-536498 2024-535578 2024-534046 2024-531727 2024-525417 2024-96065 2024-525001 2024-523480 2024-81790 2024-520171 2024-518996 2024-518332 2024-517757
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