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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2024-153723	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造	2024年10月29日
特表 2024-538358	単結晶シリコンの製造時の石英粒子のアレイの使用	2024年10月18日
特表 2024-536498	半導体ウエハ処理用エピタキシャルリアクタ内の冷却流体フローの動的制御のためのシステム及び方法	2024年10月 4日
特表 2024-535578	単結晶シリコンインゴット製造のための熱ドナー形成と目標抵抗率のモデリング	2024年 9月30日
特表 2024-534046	フロントエンド処理されたウェハの形状測定基準を用いて半導体ウェハを処理するためのシステムおよび方法	2024年 9月18日
特表 2024-531727	複合多結晶シリコン供給管を有する結晶引き上げシステム、そのような管の調製方法、および単結晶シリコンインゴットの形成方法	2024年 8月29日
特表 2024-525417	凹部およびキャップを有する研磨ヘッドアセンブリ	2024年 7月12日
特開 2024-96065	オフ・オリエンテーション単結晶シリコンウエハを製造するための方法	2024年 7月11日
特表 2024-525001	基板を製造するためのチョクラルスキ成長条件のエピタキシー適合性を決定する方法	2024年 7月 9日
特表 2024-523480	エピタキシーに対するシリコン基板の適合性を判断する方法	2024年 6月28日
特開 2024-81790	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム	2024年 6月18日
特表 2024-520171	単結晶シリコンインゴットの成長中の石英プレートの使用	2024年 5月21日
特表 2024-518996	半導体構造体のエッチング方法及び処理リアクタの調整方法	2024年 5月 8日
特表 2024-518332	凸多角形の研磨部材を有する両面研削装置	2024年 5月 1日
特表 2024-517757	画像ベースのロボット位置合わせの方法及びシステム	2024年 4月23日

27 件中 1-15 件を表示

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2024-153723 2024-538358 2024-536498 2024-535578 2024-534046 2024-531727 2024-525417 2024-96065 2024-525001 2024-523480 2024-81790 2024-520171 2024-518996 2024-518332 2024-517757

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