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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第629位 10件
(2024年:第904位 27件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第1003位 5件
(2024年:第1274位 16件)
(ランキング更新日:2025年4月2日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2025-41692
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劈開された半導体ウェハカメラシステムおよび方法 | 2025年 3月26日 | |
特開 2025-41837
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炉内の半導体ウエハを支持するためのウエハボート | 2025年 3月26日 | |
特開 2025-38002
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ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ | 2025年 3月18日 | |
特表 2025-506819
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キックプレートを備えたシリコン供給管を有するインゴット引上げ装置 | 2025年 3月13日 | |
特表 2025-506486
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半導体構造体の剥離および洗浄方法 | 2025年 3月11日 | |
特開 2025-26884
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ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ | 2025年 2月26日 | |
特開 2025-26808
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連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット | 2025年 2月25日 | |
特表 2025-505240
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酸素含有量が低いインゴット製品の製造方法 | 2025年 2月21日 | |
特開 2025-13912
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連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット | 2025年 1月28日 | |
特表 2025-500603
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シリコン供給チューブの不活性ガス制御を伴った単結晶シリコンインゴットを成長させる方法 | 2025年 1月 9日 |
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2025-41692 2025-41837 2025-38002 2025-506819 2025-506486 2025-26884 2025-26808 2025-505240 2025-13912 2025-500603
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4月2日(水) -
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4月2日(水) -
4月9日(水) -
4月9日(水) -
4月10日(木) - 東京 港区赤坂3-9-1 紀陽ビル4階
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4月11日(金) -
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