特許ランキング - 出願人詳細情報 -

グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

※ ログインすれば出願人(グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2025年出願公開件数ランキング　　　第833位　28件（2024年：第904位　27件）

　■　2025年特許取得件数ランキング　　　第841位　24件（2024年：第1274位　16件）

（ランキング更新日：2025年12月16日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2025-538698	補助加熱源として高出力レーザビームを備えた単結晶インゴット引上げ装置	2025年11月28日
特開 2025-172737	水平磁場を用いたシリコンの製造のためのシステムおよび方法	2025年11月26日
特表 2025-536746	支持シャフトから吊り下げられたリフレクタアセンブリを有するインゴット引き上げ装置	2025年11月 7日
特開 2025-166173	フロントエンド処理されたウェハの形状測定基準を用いて半導体ウェハを処理するためのシステムおよび方法	2025年11月 5日
特表 2025-534705	結晶成長プロセス中にガスドーパント気化速度を制御するためのシステムおよび方法	2025年10月17日
特開 2025-157326	連続チョクラルスキー法を用いる単結晶シリコンインゴットの成長方法	2025年10月15日
特開 2025-138643	劈開された半導体ウェハカメラシステムおよび方法	2025年 9月25日
特表 2025-529132	リムコーティング付き合成るつぼ	2025年 9月 4日
特表 2025-529168	シリコンインゴット製造時の磁極の軸方向位置決め	2025年 9月 4日
特表 2025-529339	サクリファイスリング付き単結晶成長サセプタアセンブリ	2025年 9月 4日
特開 2025-111769	シリコン箔層の移転方法	2025年 7月30日
特表 2025-524205	合成ライナー付きるつぼを用いて単結晶シリコンインゴットを形成するためのシステムおよび方法	2025年 7月25日
特表 2025-522800	シリコン融液と反射器との間の距離を測定する非接触システムおよび方法	2025年 7月17日
特表 2025-521717	エピタキシャル処理用のサセプタおよびサセプタを含むエピタキシャル反応器	2025年 7月10日
特表 2025-519431	ワイヤソーでスライスされたウェハの表面プロファイルを制御するシステムおよび方法	2025年 6月26日

28 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2025-538698 2025-172737 2025-536746 2025-166173 2025-534705 2025-157326 2025-138643 2025-529132 2025-529168 2025-529339 2025-111769 2025-524205 2025-522800 2025-521717 2025-519431

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数