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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2026-533529	エピタキシャルウエハを用いたシリコン・オン・インシュレータ構造の作製方法	2026年10月 7日
特開 2026-154949	シリコン製造中のシリコン結晶の揺動及び落下を低減するシステム及び方法	2026年10月 5日
特開 2026-149605	強化されたウエハ製造のためのポリッシング後のトポグラフィ生成システムおよび方法	2026年 9月25日
特表 2026-531832	研磨パッドのコンディショニング方法	2026年 9月24日
特開 2026-143688	基板を製造するためのチョクラルスキ成長条件のエピタキシー適合性を決定する方法	2026年 9月 8日
特開 2026-143560	エピタキシャル欠陥となるグローイン核を低減したシリコン基板を形成する方法およびエピタキシャルウエハを形成する方法	2026年 9月 8日
特表 2026-527794	アンカーを有するるつぼ並びにその製造および使用方法	2026年 8月17日
特表 2026-525856	エアポケット欠陥検出のためのシステムおよび方法	2026年 8月 4日
特表 2026-525205	動的制御による半導体ウエハの両面研磨	2026年 7月29日
特表 2026-525162	全ウエハ厚さマップ反射率測定	2026年 7月29日
特開 2026-123081	複合排気チューブを有するインゴット引き上げ装置および排気チューブの下側部分および上側部分の長さを選択する方法	2026年 7月29日
特表 2026-525125	インゴットスライス動作中のウエハ破損を制御するためのシステムおよび方法	2026年 7月28日
特開 2026-102783	単結晶シリコンインゴットの成長中における緩衝部材の使用	2026年 6月23日
特表 2026-519747	ドープされた粒子状シリコンの粒子サイズ選択	2026年 6月18日
特表 2026-519490	複数のドーパントバッチを添加するためのドーパント供給器を備えるインゴット引き上げ装置	2026年 6月16日

27 件中 1-15 件を表示

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2026-533529 2026-154949 2026-149605 2026-531832 2026-143688 2026-143560 2026-527794 2026-525856 2026-525205 2026-525162 2026-123081 2026-525125 2026-102783 2026-519747 2026-519490

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