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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2025-538698	補助加熱源として高出力レーザビームを備えた単結晶インゴット引上げ装置	2025年11月28日
特開 2025-172737	水平磁場を用いたシリコンの製造のためのシステムおよび方法	2025年11月26日
特表 2025-536746	支持シャフトから吊り下げられたリフレクタアセンブリを有するインゴット引き上げ装置	2025年11月 7日
特開 2025-166173	フロントエンド処理されたウェハの形状測定基準を用いて半導体ウェハを処理するためのシステムおよび方法	2025年11月 5日
特表 2025-534705	結晶成長プロセス中にガスドーパント気化速度を制御するためのシステムおよび方法	2025年10月17日
特開 2025-157326	連続チョクラルスキー法を用いる単結晶シリコンインゴットの成長方法	2025年10月15日
特開 2025-138643	劈開された半導体ウェハカメラシステムおよび方法	2025年 9月25日
特表 2025-529339	サクリファイスリング付き単結晶成長サセプタアセンブリ	2025年 9月 4日
特表 2025-529168	シリコンインゴット製造時の磁極の軸方向位置決め	2025年 9月 4日
特表 2025-529132	リムコーティング付き合成るつぼ	2025年 9月 4日
特開 2025-111769	シリコン箔層の移転方法	2025年 7月30日
特表 2025-524205	合成ライナー付きるつぼを用いて単結晶シリコンインゴットを形成するためのシステムおよび方法	2025年 7月25日
特表 2025-522800	シリコン融液と反射器との間の距離を測定する非接触システムおよび方法	2025年 7月17日
特表 2025-521717	エピタキシャル処理用のサセプタおよびサセプタを含むエピタキシャル反応器	2025年 7月10日
特表 2025-519431	ワイヤソーでスライスされたウェハの表面プロファイルを制御するシステムおよび方法	2025年 6月26日

29 件中 1-15 件を表示

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2025-538698 2025-172737 2025-536746 2025-166173 2025-534705 2025-157326 2025-138643 2025-529339 2025-529168 2025-529132 2025-111769 2025-524205 2025-522800 2025-521717 2025-519431

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