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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド

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 ■ 2025年 出願公開件数ランキング    第861位 29件 (上昇2024年:第904位 27件)

 ■ 2025年 特許取得件数ランキング    第818位 26件 (上昇2024年:第1273位 16件)

(ランキング更新日:2026年10月13日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2025-538698 補助加熱源として高出力レーザビームを備えた単結晶インゴット引上げ装置 2025年11月28日
特開 2025-172737 水平磁場を用いたシリコンの製造のためのシステムおよび方法 2025年11月26日
特表 2025-536746 支持シャフトから吊り下げられたリフレクタアセンブリを有するインゴット引き上げ装置 2025年11月 7日
特開 2025-166173 フロントエンド処理されたウェハの形状測定基準を用いて半導体ウェハを処理するためのシステムおよび方法 2025年11月 5日
特表 2025-534705 結晶成長プロセス中にガスドーパント気化速度を制御するためのシステムおよび方法 2025年10月17日
特開 2025-157326 連続チョクラルスキー法を用いる単結晶シリコンインゴットの成長方法 2025年10月15日
特開 2025-138643 劈開された半導体ウェハカメラシステムおよび方法 2025年 9月25日
特表 2025-529339 サクリファイスリング付き単結晶成長サセプタアセンブリ 2025年 9月 4日
特表 2025-529168 シリコンインゴット製造時の磁極の軸方向位置決め 2025年 9月 4日
特表 2025-529132 リムコーティング付き合成るつぼ 2025年 9月 4日
特開 2025-111769 シリコン箔層の移転方法 2025年 7月30日
特表 2025-524205 合成ライナー付きるつぼを用いて単結晶シリコンインゴットを形成するためのシステムおよび方法 2025年 7月25日
特表 2025-522800 シリコン融液と反射器との間の距離を測定する非接触システムおよび方法 2025年 7月17日
特表 2025-521717 エピタキシャル処理用のサセプタおよびサセプタを含むエピタキシャル反応器 2025年 7月10日
特表 2025-519431 ワイヤソーでスライスされたウェハの表面プロファイルを制御するシステムおよび方法 2025年 6月26日

29 件中 1-15 件を表示

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2025-538698 2025-172737 2025-536746 2025-166173 2025-534705 2025-157326 2025-138643 2025-529339 2025-529168 2025-529132 2025-111769 2025-524205 2025-522800 2025-521717 2025-519431

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