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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド

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  2023年 出願公開件数ランキング    第816位 33件 上昇2022年:第1399位 17件)

  2023年 特許取得件数ランキング    第1516位 13件 上昇2022年:第1898位 10件)

(ランキング更新日:2025年2月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2023-175814 シリコン箔層の移転方法 2023年12月12日
特表 2023-551390 階層的予測及び複合しきい値を用いる改良された機械学習のためのシステム及び方法 2023年12月 8日
特開 2023-171825 ばね部材を有し半導体構造を劈開するための劈開システム、及びそのような構造を劈開するための方法 2023年12月 5日
特表 2023-549193 坩堝の腐食を低減させた単結晶シリコンインゴットを形成する方法 2023年11月22日
特表 2023-549206 サイドヒータの下方に配置されるヒートシールドを有するインゴット引上げ装置及びそのような装置でインゴットを製造する方法 2023年11月22日
特表 2023-549207 インゴット引上げ装置においてインゴットを製造する方法及びそのような装置用のサイドヒータの長さを選択する方法 2023年11月22日
特表 2023-548557 ハウジングを通って延在する流体充填排気管を有する結晶引上げシステム 2023年11月17日
特表 2023-548240 エピタキシャル欠陥となるグローイン核を低減したシリコン基板を形成する方法およびエピタキシャルウエハを形成する方法 2023年11月15日
特開 2023-154023 連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット 2023年10月18日
特表 2023-542139 劈開された半導体ウェハカメラシステムおよび方法 2023年10月 5日
特開 2023-134420 LLSリング/コアパターンを改善する単結晶シリコンインゴットの処理の方法 2023年 9月27日
特表 2023-539137 化学気相堆積システム用ウインドウおよび関連方法 2023年 9月13日
特表 2023-539379 シリコン充填物を覆うためのカバー部材を有する結晶引上げシステム、及びシリコン溶融物をるつぼアセンブリ内で成長させるための方法 2023年 9月13日
特開 2023-123391 エピタキシャルウエハを製造するためのシステムおよび方法 2023年 9月 5日
特開 2023-123669 単結晶シリコンインゴットを成長させる際の動的ステートチャートの作製および使用 2023年 9月 5日

33 件中 1-15 件を表示

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2023-175814 2023-551390 2023-171825 2023-549193 2023-549206 2023-549207 2023-548557 2023-548240 2023-154023 2023-542139 2023-134420 2023-539137 2023-539379 2023-123391 2023-123669

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