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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第3095位 6件 (2023年:第2865位 7件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7571146 | 電荷ストリッピング機構を用いたイオン注入システムにおける金属汚染制御のための装置および方法 | 2024年10月22日 | |
特許 7558211 | 有害ガス制御の後処理 | 2024年 9月30日 | |
特許 7534296 | サーモカップル埋込エンドエフェクタを用いた半導体処理装置のためのウェハソーク温度のリードバックおよび制御 | 2024年 8月14日 | |
特許 7524226 | 分子状炭素の注入のためのイオン源の寿命を延長させるためのシステムおよび方法 | 2024年 7月29日 | |
特許 7512193 | AEF領域におけるインサイチュでのビームラインフィルムの安定化または除去のためのシステムおよび方法 | 2024年 7月 8日 | |
特許 7511582 | イオン注入システムのための改良された荷電ストリッピング | 2024年 7月 5日 | |
特許 7506689 | 高出力ウェハー冷却 | 2024年 6月26日 | |
特許 7492516 | イオン源のためのテトロード引出装置 | 2024年 5月29日 | |
特許 7474255 | イオン注入システムおよび方法 | 2024年 4月24日 | |
特許 7455857 | 液体金属イオン源 | 2024年 3月26日 | |
特許 7455861 | 複数のアークチャンバを備えるイオン源 | 2024年 3月26日 | |
特許 7444890 | 半導体処理装置のための加熱チャンバーハウジングを介したチャンバ壁上での凝縮ガスの低減 | 2024年 3月 6日 | |
特許 7444891 | 半導体処理装置のためのパージガス希釈および排気を介したチャンバ壁上での凝縮ガスの低減 | 2024年 3月 6日 | |
特許 7440414 | チャンバポンプおよびパージによるプロセスチャンバの低減に対するガス放出の影響 | 2024年 2月28日 | |
特許 7440525 | リアルタイムドーズ制御のために光学素子の屈曲部におけるビーム電流の推測のための上流電流測定値および下流電流測定値をミックスする方法 | 2024年 2月28日 |
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7571146 7558211 7534296 7524226 7512193 7511582 7506689 7492516 7474255 7455857 7455861 7444890 7444891 7440414 7440525
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1月11日(土) -
1月11日(土) -
1月9日(木) -
1月14日(火) - 東京 港区
1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月18日(土) -
1月14日(火) - 東京 港区
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