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長江存儲科技有限責任公司

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  2024年 出願公開件数ランキング    第571位 49件 上昇2023年:第578位 52件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第440位 63件 下降2023年:第276位 121件)

(ランキング更新日:2025年1月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2024-73497 NANDメモリ操作のためのアーキテクチャおよび方法 2024年 5月29日
特開 2024-71403 NANDメモリプログラミングのためのアーキテクチャおよび方法 2024年 5月24日
特開 2024-71746 マルチダイ動作のための動的なピーク電力管理 2024年 5月24日
特開 2024-63130 メモリデバイスおよびそのプログラミング方法 2024年 5月10日
特開 2024-52883 3次元メモリデバイスの読出し時間の改善 2024年 4月12日
特開 2024-45286 ゲート線スリットに支持構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法 2024年 4月 2日
特表 2024-512925 3次元メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 2024年 3月21日
特表 2024-512941 三次元メモリデバイスおよびその形成方法 2024年 3月21日
特開 2024-37728 冗長バンクを使用した故障メインバンクの修理を伴うメモリデバイス 2024年 3月19日
特表 2024-512524 3次元のメモリデバイスおよびそれを形成するための方法 2024年 3月19日
特表 2024-512525 3次元のメモリデバイスおよびそれを形成するための方法 2024年 3月19日
特開 2024-35771 3次元メモリデバイスにおける入力/出力基準電圧トレーニング方法 2024年 3月14日
特表 2024-511241 NANDフラッシュメモリ用の放電回路 2024年 3月13日
特表 2024-511021 半導体デバイス、メモリデバイス、及びメモリシステム 2024年 3月12日
特表 2024-510769 3次元NANDメモリおよびその製造方法 2024年 3月11日

49 件中 16-30 件を表示

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2024-73497 2024-71403 2024-71746 2024-63130 2024-52883 2024-45286 2024-512925 2024-512941 2024-37728 2024-512524 2024-512525 2024-35771 2024-511241 2024-511021 2024-510769

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