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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第1259位 20件
(2020年:第1197位 21件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第1703位 10件
(2020年:第2418位 6件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6953295 | レニウム含有薄膜の原子層堆積 | 2021年10月27日 | |
特許 6954726 | SiN薄膜の形成 | 2021年10月27日 | |
特許 6950012 | SiOCN薄膜の形成 | 2021年10月13日 | |
特許 6929790 | モリブデン又はタングステン含有薄膜のALD用前駆体の合成及び使用方法 | 2021年 9月 1日 | |
特許 6920068 | トレンチの側壁又は平坦面に選択的に窒化ケイ素膜を形成する方法 | 2021年 8月18日 | |
特許 6923355 | SiOC薄膜の形成 | 2021年 8月18日 | |
特許 6919039 | SiNの堆積 | 2021年 8月11日 | |
特許 6836551 | 半導体基板のための反応性硬化プロセス | 2021年 3月 3日 | |
特許 6821894 | 薄膜蒸着方法、及び半導体装置の製造方法 | 2021年 1月27日 | |
特許 6813983 | アルミニウム及び窒素を含む材料の選択的堆積 | 2021年 1月13日 |
10 件中 1-10 件を表示
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6953295 6954726 6950012 6929790 6920068 6923355 6919039 6836551 6821894 6813983
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