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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第1269位 19件 (2021年:第1259位 20件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第1044位 21件 (2021年:第1703位 10件)
(ランキング更新日:2024年9月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7183187 | 誘電体上の酸化物の選択的PEALD | 2022年12月 5日 | |
特許 7169072 | 選択的パッシベーションおよび選択的堆積 | 2022年11月10日 | |
特許 7162456 | 負バイアスを用いてPEALDによって膜を堆積する方法 | 2022年10月28日 | |
特許 7161024 | 熱原子層エッチングプロセス | 2022年10月25日 | |
特許 7158616 | SiNの堆積 | 2022年10月21日 | |
特許 7146690 | 堆積および除去を使用した選択的層形成 | 2022年10月 4日 | |
特許 7135187 | SiOCN薄膜の形成 | 2022年 9月12日 | |
特許 7123115 | 低温でのSiNの蒸着用Si前駆体 | 2022年 8月22日 | |
特許 7108121 | 金を含む薄膜の蒸着 | 2022年 7月27日 | |
特許 7095172 | レニウム含有薄膜の原子層堆積 | 2022年 7月 4日 | |
特許 7092466 | 有機膜の堆積 | 2022年 6月28日 | |
特許 7069387 | SiN薄膜の形成 | 2022年 5月17日 | |
特許 7062378 | 成膜抑制ガス排気のためのシャワープレート構造 | 2022年 5月 6日 | |
特許 7062658 | 熱原子層エッチングプロセス | 2022年 5月 6日 | |
特許 7062817 | SiNの堆積 | 2022年 5月 6日 |
21 件中 1-15 件を表示
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7183187 7169072 7162456 7161024 7158616 7146690 7135187 7123115 7108121 7095172 7092466 7069387 7062378 7062658 7062817
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