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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第1269位 19件
(2021年:第1259位 20件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第1044位 21件
(2021年:第1703位 10件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2022-185111 | 熱原子層エッチングプロセス | 2022年12月13日 | |
特開 2022-177198 | 堆積および除去を使用した選択的層形成 | 2022年11月30日 | |
特開 2022-173120 | 基板処理装置、基板搬送方法 | 2022年11月17日 | |
特開 2022-173142 | 基板処理装置、基板処理方法 | 2022年11月17日 | |
特開 2022-164814 | SiOCN薄膜の形成 | 2022年10月27日 | |
特開 2022-137083 | レニウム含有薄膜の原子層堆積 | 2022年 9月21日 | |
特開 2022-137205 | 金を含む薄膜の蒸着 | 2022年 9月21日 | |
特開 2022-110017 | SiN薄膜の形成 | 2022年 7月28日 | |
特開 2022-101619 | モリブデン又はタングステン含有薄膜のALD用前駆体の合成及び使用方法 | 2022年 7月 6日 | |
特開 2022-89928 | SiNの堆積 | 2022年 6月16日 | |
特開 2022-88516 | 酸化物薄膜の堆積 | 2022年 6月14日 | |
特開 2022-71171 | 有機膜の堆積 | 2022年 5月13日 | |
特開 2022-65638 | 予知保全方法、予知保全装置 | 2022年 4月27日 | |
特開 2022-65643 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置 | 2022年 4月27日 | |
特開 2022-43274 | 熱原子層エッチングプロセス | 2022年 3月15日 |
19 件中 1-15 件を表示
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2022-185111 2022-177198 2022-173120 2022-173142 2022-164814 2022-137083 2022-137205 2022-110017 2022-101619 2022-89928 2022-88516 2022-71171 2022-65638 2022-65643 2022-43274
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