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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第33468位 0件 (2017年:第5643位 3件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第930位 22件 (2017年:第664位 36件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6441994 | 多孔質膜をエッチングする方法 | 2018年12月19日 | |
特許 6418868 | カルコゲニド層を洗浄およびパッシベーションする方法 | 2018年11月 7日 | |
特許 6420297 | 流体中の物体の分析および選別 | 2018年11月 7日 | |
特許 6405325 | 半導体構造のドープ方法 | 2018年10月17日 | |
特許 6401027 | 二層グラフェントンネル電界効果トランジスタ | 2018年10月 3日 | |
特許 6397170 | メガソニックエネルギー伝達システム及びその使用、並びに、洗浄装置及び方法 | 2018年 9月26日 | |
特許 6389435 | 再構成可能なPV構成 | 2018年 9月12日 | |
特許 6376736 | 半導体デバイスおよびその製造方法 | 2018年 8月22日 | |
特許 6359457 | 金属シリサイド層を形成する方法 | 2018年 7月18日 | |
特許 6341651 | 光信号を電気信号に変換するアバランシェ光検出器素子、これを用いた電気回路、およびアバランシェ光検出器の使用 | 2018年 6月13日 | |
特許 6342651 | 外部影響に対して低感受性の集積フォトニックデバイスおよび感受性低減方法 | 2018年 6月13日 | |
特許 6329349 | 不揮発性抵抗変化型メモリデバイスおよびその抵抗変化型メモリ構造のバイアス方法 | 2018年 5月23日 | |
特許 6322044 | III−V族デバイスおよびその製造方法 | 2018年 5月 9日 | |
特許 6315948 | デュアル歪チャネルを有するFinFETおよびその製造方法 | 2018年 4月25日 | |
特許 6317076 | 量子井戸閉じ込めのための歪み層を有するデバイスおよびその製造方法 | 2018年 4月25日 |
23 件中 1-15 件を表示
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6441994 6418868 6420297 6405325 6401027 6397170 6389435 6376736 6359457 6341651 6342651 6329349 6322044 6315948 6317076
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