公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
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特許 5110792 | ウェハ相互接続用三次元ウェハのための深いビアエアギャップの形成 | アイメック | 2012年12月26日 |
特許 5101442 | 希ガスクリーニングステップの追加によって改善したプラズマチャンバ壁のクリーニング | アイメック 他 | 2012年12月19日 |
特許 5096556 | 基板の薄層化方法 | アイメック 他 | 2012年12月12日 |
特許 5090371 | クロック信号に可変遅延を印加する遅延ラインを備えたデバイス | アイメック | 2012年12月 5日 |
特許 5084217 | 交互位相シフトマスク | アイメック | 2012年11月28日 |
特許 5080552 | 接合の作製方法 | アイメック | 2012年11月21日 |
特許 5078059 | 静電荷像現像用トナーの製造方法 | 株式会社アイメックス | 2012年11月21日 |
特許 5080811 | 磁気セルを超高速制御するための方法及び装置 | アイメック | 2012年11月21日 |
特許 5072104 | 静電荷像現像用トナーの製造方法 | 株式会社アイメックス | 2012年11月14日 |
特許 5047486 | 半導体デバイスの製造方法 | アイメック | 2012年10月10日 |
特許 5022549 | 半導体デバイスを移動、及び、積層させる方法 | アイメック 他 | 2012年 9月12日 |
特許 5026065 | 減衰型の位相シフトマスクの製造方法 | アイメック 他 | 2012年 9月12日 |
特許 5019664 | 高効率で光を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 | アイメック 他 | 2012年 9月 5日 |
特許 5020616 | 短波長を持つ電磁放射を用いたリソグラフ方法および装置 | アイメック | 2012年 9月 5日 |
特許 5010589 | 半導体デバイス製造方法及びその方法により製造した半導体デバイスを備えた半導体集積回路チップ | アイメック | 2012年 8月29日 |
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5110792 5101442 5096556 5090371 5084217 5080552 5078059 5080811 5072104 5047486 5022549 5026065 5019664 5020616 5010589
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4月4日(金) -
4月4日(金) -
4月9日(水) -
4月9日(水) -
4月10日(木) - 東京 港区赤坂3-9-1 紀陽ビル4階
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4月11日(金) -
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