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■ 2017年 特許取得件数ランキング 第664位 36件 (2016年:第748位 32件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6251130 | 磁気メモリ素子 | 2017年12月20日 | |
特許 6236260 | バンド設計された半導体デバイスおよびその製造方法 | 2017年11月22日 | |
特許 6230229 | 集積トランジスタセレクタを有する積層RRAM | 2017年11月15日 | |
特許 6227386 | 半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタおよびその製造方法 | 2017年11月 8日 | |
特許 6218388 | 自己絶縁型導電性ブリッジメモリデバイス | 2017年10月25日 | |
特許 6219674 | ブロック共重合体を使用したエッチング | 2017年10月25日 | |
特許 6215523 | Ru含有酸素拡散バリア | 2017年10月18日 | |
特許 6207170 | 欠陥の無いヘテロエピタキシャルのためのマスク構造および方法 | 2017年10月 4日 | |
特許 6208006 | 半導体デバイスに使用される浅い接合の評価方法 | 2017年10月 4日 | |
特許 6204216 | 半導体上の酸素単原子層 | 2017年 9月27日 | |
特許 6204749 | 歪みGeフィン構造の製造方法 | 2017年 9月27日 | |
特許 6192577 | グラフェン系の電界効果トランジスタ | 2017年 9月 6日 | |
特許 6190212 | ブロック共重合体のエッチング | 2017年 8月30日 | |
特許 6186121 | マイクロリアクタの断熱のための方法及びデバイス | 2017年 8月23日 | |
特許 6182029 | ショットキーダイオード構造およびその製造方法 | 2017年 8月16日 |
36 件中 1-15 件を表示
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6251130 6236260 6230229 6227386 6218388 6219674 6215523 6207170 6208006 6204216 6204749 6192577 6190212 6186121 6182029
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