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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第223位 189件
(2015年:第174位 279件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第361位 82件
(2015年:第320位 85件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5989104 | 基板貫通相互接続を有する半導体構成と、基板貫通相互接続を形成する方法 | 2016年 9月 7日 | |
特許 5989281 | 独立にアドレス指定可能なメモリアレイアドレス空間 | 2016年 9月 7日 | |
特許 5978202 | インターフェイスダイと複数のダイスタックとの間の同時通信を可能にする装置、スタック型デバイス内のインターリーブされた導電経路、ならびにその形成方法および動作方法 | 2016年 8月24日 | |
特許 5978332 | メモリ初期化のための方法 | 2016年 8月24日 | |
特許 5972501 | センシング回路を使用して比較演算を実行するための装置及び方法 | 2016年 8月17日 | |
特許 5965537 | 複数の導電性ポストを平坦化する半導体構造および方法 | 2016年 8月10日 | |
特許 5964970 | 半導体デバイス用不連続パターン化接合ならびに関連システムおよび方法 | 2016年 8月 3日 | |
特許 5965063 | 気密封止されたファイバ‐チップ間接続の形成方法 | 2016年 8月 3日 | |
特許 5965083 | 検出回路網を使用して論理演算を実行するための装置及び方法 | 2016年 8月 3日 | |
特許 5965091 | 縦型メモリの浮遊ゲートメモリセル | 2016年 8月 3日 | |
特許 5960347 | フィラメント形成が限局された抵抗型メモリ | 2016年 8月 2日 | |
特許 5960369 | 階段構造を含む半導体デバイスおよびこれに関連する方法 | 2016年 8月 2日 | |
特許 5957080 | 半導体ダイ組立体、半導体ダイ組立体を含む半導体デバイス、半導体ダイ組立体の製作方法 | 2016年 7月27日 | |
特許 5955459 | アドレスバスの完全性の改善 | 2016年 7月20日 | |
特許 5952923 | メモリシステムを監視するシステムおよび方法 | 2016年 7月13日 |
82 件中 31-45 件を表示
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5989104 5989281 5978202 5978332 5972501 5965537 5964970 5965063 5965083 5965091 5960347 5960369 5957080 5955459 5952923
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