ホーム > 特許ランキング > マイクロン テクノロジー, インク. > 2026年の出願公開
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第562位 42件
(
2025年:第1876位 11件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第1993位 7件
(
2025年:第1222位 16件)
(ランキング更新日:2026年11月2日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2026-524407 | 温度ベースのリードディスターブ動作 | 2026年 7月22日 | |
| 特表 2026-524406 | メモリダイビニングを使用した信頼性の向上 | 2026年 7月22日 | |
| 特表 2026-523935 | ラインドキャパシタを持つ半導体装置及びその製造方法 | 2026年 7月16日 | |
| 特表 2026-522566 | 原子層堆積により形成されたインターコネクトを有する半導体装置 | 2026年 7月 8日 | |
| 特表 2026-520975 | 原子層堆積によるシリコン膜の堆積方法 | 2026年 6月25日 | |
| 特表 2026-519976 | シリコン貫通ビアでの導電性パッド | 2026年 6月19日 | |
| 特表 2026-517893 | スケーラブル仮想化機能を有する複数ポート搭載マルチモード型メモリサブシステム | 2026年 6月 2日 | |
| 特表 2026-517692 | 高速マルチペイロード長誤り訂正システム及び方法 | 2026年 6月 2日 | |
| 特開 2026-86669 | フラッシュメモリ内のデータのランダム化のためにセルフシード処理されたランダマイザ | 2026年 5月26日 | |
| 特表 2026-516257 | 金属間ストラップ接続を使用した低抵抗階段リベットコンタクト | 2026年 5月20日 | |
| 特表 2026-514793 | 高速マルチペイロード長誤り訂正システム及び方法 | 2026年 5月13日 | |
| 特表 2026-514380 | メモリセルキャリブレーション機構を持つ装置及び当該装置を動作させるための方法 | 2026年 5月11日 | |
| 特表 2026-511724 | マイクロ電子デバイスの形成方法、ならびに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイスおよび電子システム | 2026年 4月14日 | |
| 特表 2026-511304 | メモリ用のスケジューリング | 2026年 4月14日 | |
| 特表 2026-509740 | 横方向分割デジットラインメモリアーキテクチャ | 2026年 3月25日 |
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2026-524407 2026-524406 2026-523935 2026-522566 2026-520975 2026-519976 2026-517893 2026-517692 2026-86669 2026-516257 2026-514793 2026-514380 2026-511724 2026-511304 2026-509740
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