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マイクロン テクノロジー, インク.

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 ■ 2026年 出願公開件数ランキング    第562位 42件 (上昇2025年:第1876位 11件)

 ■ 2026年 特許取得件数ランキング    第1993位 7件 (下降2025年:第1222位 16件)

(ランキング更新日:2026年11月2日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2026-524407 温度ベースのリードディスターブ動作 2026年 7月22日
特表 2026-524406 メモリダイビニングを使用した信頼性の向上 2026年 7月22日
特表 2026-523935 ラインドキャパシタを持つ半導体装置及びその製造方法 2026年 7月16日
特表 2026-522566 原子層堆積により形成されたインターコネクトを有する半導体装置 2026年 7月 8日
特表 2026-520975 原子層堆積によるシリコン膜の堆積方法 2026年 6月25日
特表 2026-519976 シリコン貫通ビアでの導電性パッド 2026年 6月19日
特表 2026-517893 スケーラブル仮想化機能を有する複数ポート搭載マルチモード型メモリサブシステム 2026年 6月 2日
特表 2026-517692 高速マルチペイロード長誤り訂正システム及び方法 2026年 6月 2日
特開 2026-86669 フラッシュメモリ内のデータのランダム化のためにセルフシード処理されたランダマイザ 2026年 5月26日
特表 2026-516257 金属間ストラップ接続を使用した低抵抗階段リベットコンタクト 2026年 5月20日
特表 2026-514793 高速マルチペイロード長誤り訂正システム及び方法 2026年 5月13日
特表 2026-514380 メモリセルキャリブレーション機構を持つ装置及び当該装置を動作させるための方法 2026年 5月11日
特表 2026-511724 マイクロ電子デバイスの形成方法、ならびに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイスおよび電子システム 2026年 4月14日
特表 2026-511304 メモリ用のスケジューリング 2026年 4月14日
特表 2026-509740 横方向分割デジットラインメモリアーキテクチャ 2026年 3月25日

42 件中 16-30 件を表示

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2026-524407 2026-524406 2026-523935 2026-522566 2026-520975 2026-519976 2026-517893 2026-517692 2026-86669 2026-516257 2026-514793 2026-514380 2026-511724 2026-511304 2026-509740

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