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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5795632 | LED電球 | 2015年10月14日 | |
特許 5789308 | 保護リング延長部を含む接合部終端構造及びそれを組み込む電子デバイスの製作方法 | 2015年10月 7日 | |
特許 5785361 | 安定器内蔵型固体照明装置 | 2015年 9月30日 | |
特許 5785499 | ウエハレベルの白色LEDの色補正 | 2015年 9月30日 | |
特許 5781730 | 照明装置、照明された包囲体、および、照明方法 | 2015年 9月24日 | |
特許 5780613 | 改良された接着力を有する半導体デバイス及びその製造方法 | 2015年 9月16日 | |
特許 5774261 | 炭化シリコン自己整合エピタキシャルMOSFETおよびその製造方法 | 2015年 9月 9日 | |
特許 5774747 | エピタキシャル層およびそれに関連する構造を含む半導体デバイスを形成する方法 | 2015年 9月 9日 | |
特許 5771678 | 高電力絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ | 2015年 9月 2日 | |
特許 5769705 | 蛍光体ホスト材料を含む拡散粒子を有する照明構造体 | 2015年 8月26日 | |
特許 5766728 | 高い演色評価数値を有する温白色発光装置の形成方法及び関連発光装置 | 2015年 8月19日 | |
特許 5767184 | ワイヤボンディングのないウェーハ段階のLED | 2015年 8月19日 | |
特許 5767637 | III族窒化物半導体デバイス及びその製造方法 | 2015年 8月19日 | |
特許 5763913 | 発光ダイオードのための反射性マウント基板 | 2015年 8月12日 | |
特許 5758796 | ソース領域の下にp型埋込み層を備えたトランジスタ及びその作製方法 | 2015年 8月 5日 |
75 件中 16-30 件を表示
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5795632 5789308 5785361 5785499 5781730 5780613 5774261 5774747 5771678 5769705 5766728 5767184 5767637 5763913 5758796
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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