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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第1982位 11件 (2014年: 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5829934 | ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス | 2015年12月 9日 | |
特許 5829975 | 半導体デバイスおよびSiCトランジスタ | 2015年12月 9日 | |
特許 5827674 | 高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板 | 2015年12月 2日 | |
特許 5820380 | 構成可能なシャントを備える半導体照明装置 | 2015年11月24日 | |
特許 5819187 | 発光調整方法及びその方法を用いて製造されたデバイス | 2015年11月18日 | |
特許 5813279 | 窒化物ベースのトランジスタのための窒化アルミニウムを含むキャップ層およびその作製方法 | 2015年11月17日 | |
特許 5814355 | 異なる光透過領域を有する照明装置 | 2015年11月17日 | |
特許 5815670 | 調整可能な色度を有する発光デバイス及びシステム並びに発光デバイス及びシステムの色度を調整する方法 | 2015年11月17日 | |
特許 5815948 | 歪み補償半導体構造および歪み補償半導体構造を製作する方法 | 2015年11月17日 | |
特許 5816047 | P型窒化物発光デバイス用の極薄オーミックコンタクトおよび形成方法 | 2015年11月17日 | |
特許 5809608 | トランジスタ | 2015年11月11日 | |
特許 5804602 | シリコンカーバイドデバイス用の拡散接合終端構造及びこれを組み込むシリコンカーバイドデバイスの製造方法 | 2015年11月 4日 | |
特許 5805608 | 支持されたゲート電極を備えるトランジスタの作製方法およびそれに関連するデバイス | 2015年11月 4日 | |
特許 5797082 | 熱スペーサを有する半導体デバイス | 2015年10月21日 | |
特許 5797640 | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 | 2015年10月21日 |
75 件中 1-15 件を表示
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5829934 5829975 5827674 5820380 5819187 5813279 5814355 5815670 5815948 5816047 5809608 5804602 5805608 5797082 5797640
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