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クリー　インコーポレイテッド

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　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第550位　48件（2015年：第354位　75件）

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クリー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6052911	セシウムイオンで酸化物界面を処理することによって高チャネル移動度を有するＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴの形成	2016年12月27日
特許 6054282	高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法	2016年12月27日
特許 6050579	保護層および低損傷陥凹部を備える窒化物ベースのトランジスタならびにその製作方法	2016年12月21日
特許 6041139	異なる半導体材料の半導体相互接続層及び半導体チャネル層を備えたトランジスタ	2016年12月 7日
特許 6025823	負べベルにより終端された高阻止電圧を有するＳｉＣデバイス	2016年11月16日
特許 6014023	酸化ニッケルを含むゲートを有する半導体デバイス及びその作製方法	2016年10月25日
特許 6008571	チャネル領域の平滑な表面を有するシリコンカーバイドデバイスを作製する方法	2016年10月19日
特許 5997767	チャンネル移動度を増加させた半導体デバイスを製造するためのウェット・ケミストリー・プロセス	2016年 9月28日
特許 5989542	発光粒子、これを識別する方法、及びこれを含む発光装置	2016年 9月 7日
特許 5989612	半導体ダイにおけるストレス低減バリア副層の使用	2016年 9月 7日
特許 5990204	重なったドープ領域を有するショットキーダイオードを含む半導体デバイス及びその製造方法	2016年 9月 7日
特許 5990255	凹部終端構造及び凹部終端構造を含む電子デバイスを製作する方法	2016年 9月 7日
特許 5985495	コンタクトパッドおよびその製造方法	2016年 9月 6日
特許 5986080	ベース層上に緩衝層を備える電子デバイス構造	2016年 9月 6日
特許 5982430	フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ	2016年 8月31日

48 件中 1-15 件を表示

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6052911 6054282 6050579 6041139 6025823 6014023 6008571 5997767 5989542 5989612 5990204 5990255 5985495 5986080 5982430

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