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クリー インコーポレイテッド

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  2016年 出願公開件数ランキング    第1441位 17件 上昇2015年:第1982位 11件)

  2016年 特許取得件数ランキング    第550位 48件 下降2015年:第354位 75件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6052911 セシウムイオンで酸化物界面を処理することによって高チャネル移動度を有するSiC MOSFETの形成 2016年12月27日
特許 6054282 高表面品質GaNウェーハおよびその製造方法 2016年12月27日
特許 6050579 保護層および低損傷陥凹部を備える窒化物ベースのトランジスタならびにその製作方法 2016年12月21日
特許 6041139 異なる半導体材料の半導体相互接続層及び半導体チャネル層を備えたトランジスタ 2016年12月 7日
特許 6025823 負べベルにより終端された高阻止電圧を有するSiCデバイス 2016年11月16日
特許 6014023 酸化ニッケルを含むゲートを有する半導体デバイス及びその作製方法 2016年10月25日
特許 6008571 チャネル領域の平滑な表面を有するシリコンカーバイドデバイスを作製する方法 2016年10月19日
特許 5997767 チャンネル移動度を増加させた半導体デバイスを製造するためのウェット・ケミストリー・プロセス 2016年 9月28日
特許 5989542 発光粒子、これを識別する方法、及びこれを含む発光装置 2016年 9月 7日
特許 5989612 半導体ダイにおけるストレス低減バリア副層の使用 2016年 9月 7日
特許 5990204 重なったドープ領域を有するショットキーダイオードを含む半導体デバイス及びその製造方法 2016年 9月 7日
特許 5990255 凹部終端構造及び凹部終端構造を含む電子デバイスを製作する方法 2016年 9月 7日
特許 5985495 コンタクトパッドおよびその製造方法 2016年 9月 6日
特許 5986080 ベース層上に緩衝層を備える電子デバイス構造 2016年 9月 6日
特許 5982430 フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ 2016年 8月31日

48 件中 1-15 件を表示

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6052911 6054282 6050579 6041139 6025823 6014023 6008571 5997767 5989542 5989612 5990204 5990255 5985495 5986080 5982430

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