特許ランキング - 出願人詳細情報 -

クリー　インコーポレイテッド

※ ログインすれば出願人(クリー　インコーポレイテッド)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2016年出願公開件数ランキング　　　第1441位　17件（2015年：第1982位　11件）

　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第550位　48件（2015年：第354位　75件）

（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

クリー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6052911	セシウムイオンで酸化物界面を処理することによって高チャネル移動度を有するＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴの形成	2016年12月27日
特許 6054282	高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法	2016年12月27日
特許 6050579	保護層および低損傷陥凹部を備える窒化物ベースのトランジスタならびにその製作方法	2016年12月21日
特許 6041139	異なる半導体材料の半導体相互接続層及び半導体チャネル層を備えたトランジスタ	2016年12月 7日
特許 6025823	負べベルにより終端された高阻止電圧を有するＳｉＣデバイス	2016年11月16日
特許 6014023	酸化ニッケルを含むゲートを有する半導体デバイス及びその作製方法	2016年10月25日
特許 6008571	チャネル領域の平滑な表面を有するシリコンカーバイドデバイスを作製する方法	2016年10月19日
特許 5997767	チャンネル移動度を増加させた半導体デバイスを製造するためのウェット・ケミストリー・プロセス	2016年 9月28日
特許 5989542	発光粒子、これを識別する方法、及びこれを含む発光装置	2016年 9月 7日
特許 5989612	半導体ダイにおけるストレス低減バリア副層の使用	2016年 9月 7日
特許 5990204	重なったドープ領域を有するショットキーダイオードを含む半導体デバイス及びその製造方法	2016年 9月 7日
特許 5990255	凹部終端構造及び凹部終端構造を含む電子デバイスを製作する方法	2016年 9月 7日
特許 5985495	コンタクトパッドおよびその製造方法	2016年 9月 6日
特許 5986080	ベース層上に緩衝層を備える電子デバイス構造	2016年 9月 6日
特許 5982430	フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ	2016年 8月31日

48 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

6052911 6054282 6050579 6041139 6025823 6014023 6008571 5997767 5989542 5989612 5990204 5990255 5985495 5986080 5982430

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。クリー　インコーポレイテッドの知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数