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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6438933 | 埋め込みウェル領域およびエピタキシャル層を有する電界効果型トランジスタデバイス | 2018年12月19日 | |
特許 6425659 | ショットキーダイオード及びショットキーダイオードの製造方法 | 2018年11月21日 | |
特許 6417432 | ショットキー・ダイオード | 2018年11月 7日 | |
特許 6417485 | 照明器具の異なるグループに関するデイライティング | 2018年11月 7日 | |
特許 6407920 | 負べベルにより終端された高阻止電圧を有するSiCデバイス | 2018年10月17日 | |
特許 6395865 | オーバーモールド・プラスチックパッケージ型ワイドバンドギャップ・パワートランジスタ及びMMIC | 2018年 9月26日 | |
特許 6391689 | 炭化ケイ素への制御されたイオン注入 | 2018年 9月19日 | |
特許 6377075 | 分散制御のための照明器具 | 2018年 8月22日 | |
特許 6367943 | 高電圧パワーデバイスのためのエッジ終端方法 | 2018年 8月 1日 | |
特許 6359802 | 半導体照明部品 | 2018年 7月18日 | |
特許 6356689 | ショットキーダイオード及びその製造方法 | 2018年 7月11日 | |
特許 6357037 | 常時オフ半導体デバイスおよびその作製方法 | 2018年 7月11日 | |
特許 6334003 | ワイドバンドギャップ半導体デバイスのためのオーバーモールド・パッケージング | 2018年 5月30日 | |
特許 6335795 | 負ベベルにより終端した、高い阻止電圧を有するSiC素子 | 2018年 5月30日 | |
特許 6309448 | 被覆燐光体及びこれ含む発光デバイス | 2018年 4月11日 |
21 件中 1-15 件を表示
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6438933 6425659 6417432 6417485 6407920 6395865 6391689 6377075 6367943 6359802 6356689 6357037 6334003 6335795 6309448
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11月28日(木) -
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11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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