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(2021年:第1489位 16件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7198305 | シリコンカーバイド基板に深く注入されたP-型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ | 2022年12月28日 | |
特許 7185011 | 無線周波数トランジスタ増幅器及び絶縁構造を有する他のマルチセルトランジスタ | 2022年12月 6日 | |
特許 7182594 | ゲート・トレンチと、埋め込まれた終端構造とを有するパワー半導体デバイス、及び、関連方法 | 2022年12月 2日 | |
特許 7181962 | 炭化ケイ素パワーモジュール | 2022年12月 1日 | |
特許 7179848 | ベースバンド、基本および高調波同調ネットワークを組み合わせたRF電力増幅器 | 2022年11月29日 | |
特許 7174702 | イオン注入側壁を有するゲート・トレンチを備えるパワー半導体デバイス及び関連方法 | 2022年11月17日 | |
特許 7167198 | 高電圧電力モジュール | 2022年11月 8日 | |
特許 7165822 | ワイドバンドギャップ半導体デバイス | 2022年11月 4日 | |
特許 7155016 | イオン注入チャネリング技術により形成される超接合パワーシリコンカーバイド半導体デバイス及び関連方法 | 2022年10月18日 | |
特許 7154284 | ループ安定性のためのノード分割を有するトランジスタ増幅器及び関連する方法 | 2022年10月17日 | |
特許 7136779 | 一体型クランプ回路を有するパワーモジュールおよびそのプロセス | 2022年 9月13日 | |
特許 7132419 | 改善されたドレイン相互接続部及び/又はゲート相互接続部、並びにフィンガ構造 | 2022年 9月 6日 | |
特許 7074892 | 周波数選択インピーダンス整合ネットワークを備えるRFパワー増幅器 | 2022年 5月24日 | |
特許 7056836 | 高電流、低スイッチングロスのSiCパワーモジュール | 2022年 4月19日 | |
特許 7056976 | バイパスされたゲート構造を有するトランジスタ | 2022年 4月19日 |
22 件中 1-15 件を表示
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7198305 7185011 7182594 7181962 7179848 7174702 7167198 7165822 7155016 7154284 7136779 7132419 7074892 7056836 7056976
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