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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第667位 40件
(
2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第703位 35件
(
2023年:第1000位 22件)
(ランキング更新日:2026年10月16日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7607763 | 改善されたダイ・アタッチを有するトランジスタ・パッケージ | 2024年12月27日 | |
| 特許 7605917 | 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 | 2024年12月24日 | |
| 特許 7605915 | 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 | 2024年12月24日 | |
| 特許 7598374 | 改善されたサーマルバジェットを有する半導体および改善されたサーマルバジェットを有する半導体を作製するプロセス | 2024年12月11日 | |
| 特許 7591523 | 改善された性能及び信頼性を有する高電子移動度トランジスタ及びそのトランジスタを含む電力増幅器 | 2024年11月28日 | |
| 特許 7590465 | RF電力増幅器のためのオンパッケージインピーダンス整合ネットワークと一体化された多段デカップリングネットワーク | 2024年11月26日 | |
| 特許 7588660 | 段階的な横方向ドーピングを有する半導体パワーデバイスおよびそのようなデバイスを形成する方法 | 2024年11月22日 | |
| 特許 7587591 | 炭化ケイ素結晶材料の転位分布 | 2024年11月20日 | |
| 特許 7585455 | 改善された耐久性を有する縦型SIC半導体デバイス | 2024年11月18日 | |
| 特許 7584630 | 短絡耐量を向上させたパワー炭化ケイ素ベースの半導体デバイス及びそのようなデバイスを作製する方法 | 2024年11月15日 | |
| 特許 7578816 | トレンチ付きゲートを含むパワー半導体デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法 | 2024年11月 6日 | |
| 特許 7578731 | エッチ停止/電界制御層を含む多層ゲート誘電体層を有するパワー半導体デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法 | 2024年11月 6日 | |
| 特許 7565365 | 配線用に構成されたデバイスキャリア、配線を有するデバイスキャリアを実装するパッケージ、およびその製作方法 | 2024年10月10日 | |
| 特許 7555436 | 無線周波数トランジスタ増幅器パッケージ | 2024年 9月24日 | |
| 特許 7550946 | 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法 | 2024年 9月13日 |
35 件中 1-15 件を表示
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7607763 7605917 7605915 7598374 7591523 7590465 7588660 7587591 7585455 7584630 7578816 7578731 7565365 7555436 7550946
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