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バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー

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 ■ 2026年 出願公開件数ランキング    第797位 25件 (上昇2025年:第1097位 21件)

 ■ 2026年 特許取得件数ランキング    第1050位 15件 (下降2025年:第977位 21件)

(ランキング更新日:2026年10月13日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2026-530336 メモリ及び共有の書き込みポートを有する集積回路 2026年 9月 8日
特表 2026-529627 ウェハスケールメモリ用のシステム、方法、及び装置 2026年 9月 1日
特表 2026-529617 集積回路におけるアモルファス酸化物半導体チャネルを使用したFeFET構造 2026年 9月 1日
特表 2026-529411 アルキンを利用した金属上の誘電体上へのアルミニウム含有誘電体材料の選択的堆積 2026年 8月31日
特表 2026-528932 安定化されたオルガノシラン組成物及びそれを用いて緻密低k膜を形成する方法 2026年 8月26日
特表 2026-528920 フェース-フェース接合のためのコレクトバイコンストラクションのタイミング収束を伴うシステム及び方法 2026年 8月26日
特表 2026-527827 フェース-フェース接合チップレットの既知の優良ダイの試験性に関する方法及びシステム 2026年 8月18日
特表 2026-527826 マイクロヴォルトメモリを有する集積回路 2026年 8月18日
特表 2026-526327 アルコールを利用したケイ素含有表面上への金属膜の領域選択的堆積 2026年 8月 7日
特開 2026-110641 ケイ素含有薄膜の堆積のための有機アミノ官能基を有する環式オリゴシロキサン 2026年 7月 2日
特開 2026-95704 シリコン及びホウ素を含む膜用の組成物及びそれを用いる方法 2026年 6月11日
特表 2026-517429 トランジスタチャネルの特性を最適化するためのデバイス、システム、及び方法 2026年 5月29日
特表 2026-517262 アルコールを用いたシリコン含有表面上への誘電体膜の領域選択的堆積 2026年 5月28日
特表 2026-516336 タングステンと両立性を有するTiNハードマスク除去用組成物 2026年 5月21日
特表 2026-514156 クロロシリル置換シラシクロアルカン、及びケイ素と酸素とを含む膜の形成のためのその使用 2026年 5月 1日

25 件中 1-15 件を表示

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2026-530336 2026-529627 2026-529617 2026-529411 2026-528932 2026-528920 2026-527827 2026-527826 2026-526327 2026-110641 2026-95704 2026-517429 2026-517262 2026-516336 2026-514156

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